Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > IPB049NE7N3GATMA1
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
6695860IPB049NE7N3GATMA1 piltInternational Rectifier (Infineon Technologies)

IPB049NE7N3GATMA1

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1000+
$1.303
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    IPB049NE7N3GATMA1
  • Tootja / bränd
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    IPB049NE7N3GATMA1.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3.8V @ 91µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    D²PAK (TO-263AB)
  • Seeria
    OptiMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    4.9 mOhm @ 80A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    150W (Tc)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Muud nimed
    IPB049NE7N3 G
    IPB049NE7N3 G-ND
    IPB049NE7N3 GTR-ND
    IPB049NE7N3G
    IPB049NE7N3GATMA1TR
    SP000641752
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    4750pF @ 37.5V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    68nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    75V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 75V 80A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    80A (Tc)

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Saatmine
Makse
Järgnev on "IPB049NE7N3GATMA1" seotud tooted.
IPB055N03LGATMA1

IPB055N03LGATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 50A TO-263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB044N15N5ATMA1

IPB044N15N5ATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 150V 174A TO263-7

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB049N08N5ATMA1

IPB049N08N5ATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 80V TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB04N03LB G

IPB04N03LB G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB054N08N3GATMA1

IPB054N08N3GATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 80V 80A TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB04N03LA G

IPB04N03LA G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 25V 80A TO-263

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB042N10N3GATMA1

IPB042N10N3GATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB054N06N3GATMA1

IPB054N06N3GATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB04N03LAT

IPB04N03LAT

Kirjeldus: MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB048N15N5ATMA1

IPB048N15N5ATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 150V 120A TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB048N15N5LFATMA1

IPB048N15N5LFATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 150V 120A TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB042N03LGATMA1

IPB042N03LGATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 70A TO-263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB042N10N3GE8187ATMA1

IPB042N10N3GE8187ATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB04N03LA

IPB04N03LA

Kirjeldus: MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB052N04NGATMA1

IPB052N04NGATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 70A TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB041N04NGATMA1

IPB041N04NGATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB049N06L3GATMA1

IPB049N06L3GATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB050N06NGATMA1

IPB050N06NGATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 100A TO-263

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB048N06LGATMA1

IPB048N06LGATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 100A TO-263

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB04N03LB

IPB04N03LB

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.