Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > IPB048N06LGATMA1
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
5046452IPB048N06LGATMA1 piltInternational Rectifier (Infineon Technologies)

IPB048N06LGATMA1

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    IPB048N06LGATMA1
  • Tootja / bränd
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 60V 100A TO-263
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2V @ 270µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    D²PAK (TO-263AB)
  • Seeria
    OptiMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    4.4 mOhm @ 100A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    300W (Tc)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Muud nimed
    IPB048N06L G
    IPB048N06L G-ND
    IPB048N06LGATMA1TR
    IPB048N06LGINTR
    IPB048N06LGINTR-ND
    IPB048N06LGXT
    SP000204181
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    7600pF @ 30V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    225nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    4.5V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    60V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 60V 100A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    100A (Tc)
IPB03N03LB G

IPB03N03LB G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 80A TO-263

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
IPB04N03LB

IPB04N03LB

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
IPB03N03LA G

IPB03N03LA G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 25V 80A TO-263

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
IPB03N03LB

IPB03N03LB

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
IPB048N15N5ATMA1

IPB048N15N5ATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 150V 120A TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
IPB04N03LAT

IPB04N03LAT

Kirjeldus: MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
IPB049NE7N3GATMA1

IPB049NE7N3GATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
IPB039N10N3GE8187ATMA1

IPB039N10N3GE8187ATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
IPB03N03LA

IPB03N03LA

Kirjeldus: MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
IPB048N15N5LFATMA1

IPB048N15N5LFATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 150V 120A TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
IPB042N03LGATMA1

IPB042N03LGATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 70A TO-263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
IPB042N10N3GATMA1

IPB042N10N3GATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
IPB04N03LA G

IPB04N03LA G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 25V 80A TO-263

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
IPB04N03LA

IPB04N03LA

Kirjeldus: MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
IPB049N08N5ATMA1

IPB049N08N5ATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 80V TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
IPB042N10N3GE8187ATMA1

IPB042N10N3GE8187ATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
IPB044N15N5ATMA1

IPB044N15N5ATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 150V 174A TO263-7

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
IPB04N03LB G

IPB04N03LB G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
IPB041N04NGATMA1

IPB041N04NGATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
IPB049N06L3GATMA1

IPB049N06L3GATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi