Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > IPB06CN10N G
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
3758115IPB06CN10N G piltInternational Rectifier (Infineon Technologies)

IPB06CN10N G

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    IPB06CN10N G
  • Tootja / bränd
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    IPB06CN10N G.pdf
  • ECAD -mudel
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 180µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    D²PAK (TO-263AB)
  • Seeria
    OptiMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    6.2 mOhm @ 100A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    214W (Tc)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Muud nimed
    IPB06CN10N G-ND
    IPB06CN10NG
    SP000096446
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    9200pF @ 50V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    139nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    100V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 100V 100A (Tc) 214W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    100A (Tc)

ABLIC and Infineon's innovative IC technology will driv...

2025/01/20

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Saatmine
Makse
Järgnev on "IPB06CN10N G" seotud tooted.
IPB073N15N5ATMA1

IPB073N15N5ATMA1

Kirjeldus: MV POWER MOS

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB065N10N3GATMA1

IPB065N10N3GATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB065N06L G

IPB065N06L G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB075N04LGATMA1

IPB075N04LGATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 50A TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB072N15N3GATMA1

IPB072N15N3GATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB060N15N5ATMA1

IPB060N15N5ATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 150V 136A TO263-7

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB065N15N3GATMA1

IPB065N15N3GATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB067N08N3GATMA1

IPB067N08N3GATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 80V 80A TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB05N03LB

IPB05N03LB

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB06N03LA

IPB06N03LA

Kirjeldus: MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB065N03LGATMA1

IPB065N03LGATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 50A TO-263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB05N03LAT

IPB05N03LAT

Kirjeldus: MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB06N03LB

IPB06N03LB

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB06N03LA G

IPB06N03LA G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB065N15N3GE8187ATMA1

IPB065N15N3GE8187ATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB072N15N3GE8187ATMA1

IPB072N15N3GE8187ATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB05N03LB G

IPB05N03LB G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 80A TO-263

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB06N03LB G

IPB06N03LB G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB06N03LAT

IPB06N03LAT

Kirjeldus: MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB070N06L G

IPB070N06L G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 80A TO-263

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustUudisedSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.