Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > IPB072N15N3GE8187ATMA1
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
2257250IPB072N15N3GE8187ATMA1 piltInternational Rectifier (Infineon Technologies)

IPB072N15N3GE8187ATMA1

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    IPB072N15N3GE8187ATMA1
  • Tootja / bränd
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    IPB072N15N3GE8187ATMA1.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 270µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    PG-TO263-3-2
  • Seeria
    OptiMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    7.2 mOhm @ 100A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    300W (Tc)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Muud nimed
    IPB072N15N3 G E8187
    IPB072N15N3 G E8187-ND
    IPB072N15N3 G E8187TR-ND
    IPB072N15N3GE8187ATMA1TR
    SP000938816
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    5470pF @ 75V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    93nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    8V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    150V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 150V 100A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    100A (Tc)

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Saatmine
Makse
Järgnev on "IPB072N15N3GE8187ATMA1" seotud tooted.
IPB083N10N3GATMA1

IPB083N10N3GATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 80A TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB06N03LA G

IPB06N03LA G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB06N03LB

IPB06N03LB

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB073N15N5ATMA1

IPB073N15N5ATMA1

Kirjeldus: MV POWER MOS

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB06N03LB G

IPB06N03LB G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB085N06L G

IPB085N06L G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 80A TO-263

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB067N08N3GATMA1

IPB067N08N3GATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 80V 80A TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB083N15N5LFATMA1

IPB083N15N5LFATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 150V 105A TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB06CN10N G

IPB06CN10N G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB081N06L3GATMA1

IPB081N06L3GATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 50A TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB08CN10N G

IPB08CN10N G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 95A TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB06N03LA

IPB06N03LA

Kirjeldus: MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB080N06N G

IPB080N06N G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 80A TO-263

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB065N15N3GE8187ATMA1

IPB065N15N3GE8187ATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB080N03LGATMA1

IPB080N03LGATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 50A TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB08CNE8N G

IPB08CNE8N G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 85V 95A TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB072N15N3GATMA1

IPB072N15N3GATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB070N06L G

IPB070N06L G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 80A TO-263

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB06N03LAT

IPB06N03LAT

Kirjeldus: MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB075N04LGATMA1

IPB075N04LGATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 50A TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.