Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > IPB600N25N3GATMA1
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
5790324IPB600N25N3GATMA1 piltInternational Rectifier (Infineon Technologies)

IPB600N25N3GATMA1

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1000+
$1.514
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    IPB600N25N3GATMA1
  • Tootja / bränd
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 250V 25A TO263-3
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    IPB600N25N3GATMA1.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 90µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    D²PAK (TO-263AB)
  • Seeria
    OptiMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    60 mOhm @ 25A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    136W (Tc)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Muud nimed
    IPB600N25N3 G
    IPB600N25N3 G-ND
    IPB600N25N3 GTR
    IPB600N25N3 GTR-ND
    IPB600N25N3G
    IPB600N25N3GATMA1TR
    SP000676408
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    2350pF @ 100V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    29nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    250V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 250V 25A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    25A (Tc)

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Saatmine
Makse
Järgnev on "IPB600N25N3GATMA1" seotud tooted.
IPB50R140CPATMA1

IPB50R140CPATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 550V 23A TO-263

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB60R060C7ATMA1

IPB60R060C7ATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 35A TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB48010A033V-001-R

IPB48010A033V-001-R

Kirjeldus: DC DC CONVERTER 3.3V

Tootjad: TDK-Lambda Americas, Inc.
Laos
RFQ
IPB60R040C7ATMA1

IPB60R040C7ATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 50A TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB50N10S3L16ATMA1

IPB50N10S3L16ATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 50A TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB50N12S3L15ATMA1

IPB50N12S3L15ATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CHANNEL_100+

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB60R099C7ATMA1

IPB60R099C7ATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 22A TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB60R099CPAATMA1

IPB60R099CPAATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 31A TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB50R250CPATMA1

IPB50R250CPATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 550V 13A TO-263

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB50R299CPATMA1

IPB50R299CPATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 550V 12A TO-263

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB60R120C7ATMA1

IPB60R120C7ATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 19A TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB60R060P7ATMA1

IPB60R060P7ATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB50R199CPATMA1

IPB50R199CPATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 550V 17A TO-263

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB530N15N3GATMA1

IPB530N15N3GATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 150V 21A TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB60R080P7ATMA1

IPB60R080P7ATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB60R099C6ATMA1

IPB60R099C6ATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 37.9A TO263

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB60R099CPATMA1

IPB60R099CPATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 31A D2PAK

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB48007A050V-001-R

IPB48007A050V-001-R

Kirjeldus: DC DC CONVERTER 5V

Tootjad: TDK-Lambda Americas, Inc.
Laos
RFQ
IPB60R099P7ATMA1

IPB60R099P7ATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB50CN10NGATMA1

IPB50CN10NGATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 20A TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.