Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > IPB60R060P7ATMA1
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
1753451IPB60R060P7ATMA1 piltInternational Rectifier (Infineon Technologies)

IPB60R060P7ATMA1

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$8.00
10+
$7.141
100+
$5.856
500+
$4.742
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    IPB60R060P7ATMA1
  • Tootja / bränd
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH TO263-3
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Sisaldab plii / RoHS vastavust
  • Andmelehed
    IPB60R060P7ATMA1.pdf
  • ECAD -mudel
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 800µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    D²PAK (TO-263AB)
  • Seeria
    CoolMOS™ P7
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    60 mOhm @ 15.9A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    164W (Tc)
  • Pakend
    Cut Tape (CT)
  • Pakett / kott
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Muud nimed
    IPB60R060P7ATMA1CT
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    2895pF @ 400V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    67nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    650V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 650V 48A (Tc) 164W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    48A (Tc)

ABLIC and Infineon's innovative IC technology will driv...

2025/01/20

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Saatmine
Makse
Järgnev on "IPB60R060P7ATMA1" seotud tooted.
IPB50N10S3L16ATMA1

IPB50N10S3L16ATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 50A TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB530N15N3GATMA1

IPB530N15N3GATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 150V 21A TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB60R125CPATMA1

IPB60R125CPATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 25A TO263

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB50R140CPATMA1

IPB50R140CPATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 550V 23A TO-263

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB600N25N3GATMA1

IPB600N25N3GATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 250V 25A TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB60R099CPAATMA1

IPB60R099CPAATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 31A TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB60R120P7ATMA1

IPB60R120P7ATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB60R125C6ATMA1

IPB60R125C6ATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 30A TO263

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB60R099C7ATMA1

IPB60R099C7ATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 22A TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB50R299CPATMA1

IPB50R299CPATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 550V 12A TO-263

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB60R099P7ATMA1

IPB60R099P7ATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB50R199CPATMA1

IPB50R199CPATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 550V 17A TO-263

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB60R099C6ATMA1

IPB60R099C6ATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 37.9A TO263

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB60R080P7ATMA1

IPB60R080P7ATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB60R040C7ATMA1

IPB60R040C7ATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 50A TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB50R250CPATMA1

IPB50R250CPATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 550V 13A TO-263

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB60R060C7ATMA1

IPB60R060C7ATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 35A TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB60R120C7ATMA1

IPB60R120C7ATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 19A TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB60R099CPATMA1

IPB60R099CPATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 31A D2PAK

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB50N12S3L15ATMA1

IPB50N12S3L15ATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CHANNEL_100+

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustUudisedSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.