Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

*Ettevõtte nimi
*Nimetus
*Tiitel

*E-posti aadress
*Telefoninumber

*Riik
*Kontaktiaken
*Sündmuse kuupäev

*Sõnum

Electronica 2024 külastajatele

Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.

Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Dioodid - alaldid - üksikud > RFN2LAM4STR

RFQs/tellimus (0)

Eesti Vabariik

Eesti Vabariik

2238438

RFN2LAM4STR pilt

LAPIS Semiconductor

RFN2LAM4STR

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos

3000+

$0.176

6000+

$0.164

15000+

$0.153

30000+

$0.145

Päring veebis

Spetsifikatsioonid

Osa number

RFN2LAM4STR
Tootja / bränd

LAPIS Technology
Varukogus

Laos
Kirjeldus

DIODE GEN PURP 400V 1.5A PMDTM
Lead Free status / RoHS staatus

Plii vaba / RoHS vastavuses
Andmelehed

1.RFN2LAM4STR.pdf
2.RFN2LAM4STR.pdf
Pinge - Edasi (Vf) (Max) @ Kui

1.2V @ 1.5A
Pinge - DC reverse (Vr) (max)

400V
Pakkuja seadme pakett

PMDTM
Kiirus

Fast Recovery = 200mA (Io)
Seeria

-
Pöörde taastamise aeg (trr)

30ns
Pakend

Tape & Reel (TR)
Pakett / kott

SOD-128
Muud nimed

RFN2LAM4STRTR
Töötemperatuur - ühenduskoht

150°C (Max)
Paigaldus tüüp

Surface Mount
Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)

1 (Unlimited)
Tootja Standardne pliiaeg

20 Weeks
Lead Free status / RoHS staatus

Lead free / RoHS Compliant
Diode tüüp

Standard
Täpsem kirjeldus

Diode Standard 400V 1.5A Surface Mount PMDTM
Praegune - tagasikäik @ Vr

1µA @ 400V
Jooksev - keskmine parandatud (Io)

1.5A
Mahtuvus @ Vr, F

-

Seotud uudised
Laevandus
Makse

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

Saatmine

Makse

Järgnev on "RFN2LAM4STR" seotud tooted.

RFN3BM6STL

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 3A TO252

Tootjad: LAPIS Semiconductor

Laos

RFN3BM6SFHTL

Kirjeldus: SUPER FAST RECOVERY DIODE (CORRE

Tootjad: LAPIS Semiconductor

Laos

RFN20TF6SFH

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 20A TO220NFM

Tootjad: LAPIS Semiconductor

Laos

RFN20TF6S

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 20A TO220NFM

Tootjad: LAPIS Semiconductor

Laos

RFN20NS4SFHTL

Kirjeldus: FAST RECOVERY DIODE (AEC-Q101 QU

Tootjad: LAPIS Semiconductor

Laos

RFN20NS6STL

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 20A LPDS

Tootjad: LAPIS Semiconductor

Laos

RFN20NS3SFHTL

Kirjeldus: FAST RECOVERY DIODES (CORRESPOND

Tootjad: LAPIS Semiconductor

Laos

RFN20NS6SFHTL

Kirjeldus: FAST RECOVERY DIODES (CORRESPOND

Tootjad: LAPIS Semiconductor

Laos

RFN3B2STL

RFN3B2STL

Kirjeldus: DIODE GEN PURPOSE CPD

Tootjad: LAPIS Semiconductor

Laos

RFN2L4STE25

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY 400V 1.5A PMDS

Tootjad: LAPIS Semiconductor

Laos

RFN1LAM7STR

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 700V 800MA PMDTM

Tootjad: LAPIS Semiconductor

Laos

RFN20TJ6SGC9

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 20A TO220

Tootjad: LAPIS Semiconductor

Laos

RFN2L6STE25

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 1.5A PMDS

Tootjad: LAPIS Semiconductor

Laos

RFN2LAM6STR

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 1.5A PMDTM

Tootjad: LAPIS Semiconductor

Laos

RFN3BM2STL

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 3A TO252

Tootjad: LAPIS Semiconductor

Laos

RFN3BM2SFHTL

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 3A TO252

Tootjad: LAPIS Semiconductor

Laos

RFN30TS6DGC11

Kirjeldus: DIODE ARRAY GP 600V 15A TO247

Tootjad: LAPIS Semiconductor

Laos

RFN30TS6SGC11

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 30A TO247

Tootjad: LAPIS Semiconductor

Laos

RFN3BGE6STL

Kirjeldus: SUPER FAST RECOVERY DIODE

Tootjad: LAPIS Semiconductor

Laos

RFN3B6STL

RFN3B6STL

Kirjeldus: DIODE GEN PURPOSE CPD

Tootjad: LAPIS Semiconductor

Laos

Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.

Järgne meile

Tingimused Rikkumispoliitika Taotleda pakkumist Meist Võta meiega ühendust Saidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.