Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Dioodid - alaldid - massiivid > RFN30TS6DGC11
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
1598748RFN30TS6DGC11 piltLAPIS Semiconductor

RFN30TS6DGC11

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$4.13
10+
$3.691
100+
$3.026
500+
$2.451
1000+
$2.067
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    RFN30TS6DGC11
  • Tootja / bränd
    LAPIS Technology
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    DIODE ARRAY GP 600V 15A TO247
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    1.RFN30TS6DGC11.pdf
    2.RFN30TS6DGC11.pdf
  • Pinge - Edasi (Vf) (Max) @ Kui
    1.55V @ 15A
  • Pinge - DC reverse (Vr) (max)
    600V
  • Pakkuja seadme pakett
    TO-247
  • Kiirus
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Seeria
    -
  • Pöörde taastamise aeg (trr)
    55ns
  • Pakend
    Bulk
  • Pakett / kott
    TO-247-3
  • Töötemperatuur - ühenduskoht
    150°C (Max)
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    10 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diode tüüp
    Standard
  • Dioodide seadistamine
    1 Pair Common Cathode
  • Täpsem kirjeldus
    Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 600V 15A Through Hole TO-247-3
  • Praegune - tagasikäik @ Vr
    10µA @ 600V
  • Jooksev - Keskmine puhastatud (Io) (ühe dioodi kohta)
    15A

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

2024/11/26
Saatmine
Makse
Järgnev on "RFN30TS6DGC11" seotud tooted.
RFN2LAM6STR

RFN2LAM6STR

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 1.5A PMDTM

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
RFN3B2STL

RFN3B2STL

Kirjeldus: DIODE GEN PURPOSE CPD

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
RFN3BM6STL

RFN3BM6STL

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 3A TO252

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
RFN20TF6SFH

RFN20TF6SFH

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 20A TO220NFM

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
RFN2LAM4STR

RFN2LAM4STR

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 1.5A PMDTM

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
RFN3BM2SFHTL

RFN3BM2SFHTL

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 3A TO252

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
RFN20TF6S

RFN20TF6S

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 20A TO220NFM

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
RFN20NS6SFHTL

RFN20NS6SFHTL

Kirjeldus: FAST RECOVERY DIODES (CORRESPOND

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
RFN30TS6SGC11

RFN30TS6SGC11

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 30A TO247

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
RFN2L6STE25

RFN2L6STE25

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 1.5A PMDS

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
RFN3B6STL

RFN3B6STL

Kirjeldus: DIODE GEN PURPOSE CPD

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
RFN5B3STL

RFN5B3STL

Kirjeldus: DIODE GEN PURPOSE CPD

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
RFN3BGE6STL

RFN3BGE6STL

Kirjeldus: SUPER FAST RECOVERY DIODE

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
RFN20TJ6SGC9

RFN20TJ6SGC9

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 20A TO220

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
RFN20NS6STL

RFN20NS6STL

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 20A LPDS

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
RFN20NS4SFHTL

RFN20NS4SFHTL

Kirjeldus: FAST RECOVERY DIODE (AEC-Q101 QU

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
RFN5B2STL

RFN5B2STL

Kirjeldus: DIODE GEN PURPOSE CPD

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
RFN2L4STE25

RFN2L4STE25

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY 400V 1.5A PMDS

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
RFN3BM2STL

RFN3BM2STL

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 3A TO252

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
RFN3BM6SFHTL

RFN3BM6SFHTL

Kirjeldus: SUPER FAST RECOVERY DIODE (CORRE

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.