Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > RHU002N06T106
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
3226277RHU002N06T106 piltLAPIS Semiconductor

RHU002N06T106

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
3000+
$0.073
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    RHU002N06T106
  • Tootja / bränd
    LAPIS Technology
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-323
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    RHU002N06T106.pdf
  • ECAD -mudel
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    -
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    UMT3
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2.4 Ohm @ 200mA, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    200mW (Ta)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    SC-70, SOT-323
  • Muud nimed
    RHU002N06T106-ND
    RHU002N06T106TR
  • Töötemperatuur
    150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    15pF @ 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    4.4nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    4V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    60V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 60V 200mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount UMT3
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    200mA (Ta)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27
Saatmine
Makse
Järgnev on "RHU002N06T106" seotud tooted.
FDB8445-F085

FDB8445-F085

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
BSP125L6327HTSA1

BSP125L6327HTSA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
SUM85N15-19-E3

SUM85N15-19-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 150V 85A D2PAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
PSMN034-100PS,127

PSMN034-100PS,127

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V TO220AB

Tootjad: Nexperia
Laos
RFQ
SUD45P03-10-E3

SUD45P03-10-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V TO252

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
IRFR4104TR

IRFR4104TR

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 42A DPAK

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IRL3303L

IRL3303L

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 38A TO-262

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
SI7810DN-T1-GE3

SI7810DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 3.4A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
AOTF7N60

AOTF7N60

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 7A TO220F

Tootjad: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Laos
RFQ
IPD90R1K2C3BTMA1

IPD90R1K2C3BTMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-252

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
FQPF13N06

FQPF13N06

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 9.4A TO-220F

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
SIA447DJ-T1-GE3

SIA447DJ-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 12V 12A SC-70-6L

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
IRFZ44ZLPBF

IRFZ44ZLPBF

Kirjeldus: MOSFET N-CH 55V 51A TO-262

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
RHU003N03FRAT106

RHU003N03FRAT106

Kirjeldus: 4V DRIVE NCH MOSFET (CORRESPONDS

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
RHU003N03T106

RHU003N03T106

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 300MA SOT-323

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
IRFZ48NL

IRFZ48NL

Kirjeldus: MOSFET N-CH 55V 64A TO-262

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
VN0606L-G-P003

VN0606L-G-P003

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 330MA TO92-3

Tootjad: Micrel / Microchip Technology
Laos
RFQ
TPCA8025(TE12L,Q,M

TPCA8025(TE12L,Q,M

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 40A 8SOIC ADV

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
IRFL4315TRPBF

IRFL4315TRPBF

Kirjeldus: MOSFET N-CH 150V 2.6A SOT223

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IRLL014NTR

IRLL014NTR

Kirjeldus: MOSFET N-CH 55V 2A SOT223

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustUudisedSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.