Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > RHU003N03T106
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
1323552RHU003N03T106 piltLAPIS Semiconductor

RHU003N03T106

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$0.50
10+
$0.349
100+
$0.229
500+
$0.136
1000+
$0.104
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    RHU003N03T106
  • Tootja / bränd
    LAPIS Technology
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 30V 300MA SOT-323
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    RHU003N03T106.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    -
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    UMT3
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.2 Ohm @ 300mA, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    200mW (Ta)
  • Pakend
    Cut Tape (CT)
  • Pakett / kott
    SC-70, SOT-323
  • Muud nimed
    RHU003N03T106CT
  • Töötemperatuur
    -
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    20pF @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    4V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    30V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 30V 300mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount UMT3
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    300mA (Ta)

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

2024/11/23

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

2024/11/22

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "RHU003N03T106" seotud tooted.
RHU002N06T106

RHU002N06T106

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-323

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
FQPF630

FQPF630

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 6.3A TO-220F

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
IRF5805TR

IRF5805TR

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 3.8A 6-TSOP

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
FDM606P

FDM606P

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 6.8A MICROFET

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
TPCF8102(TE85L,F,M

TPCF8102(TE85L,F,M

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 6A VS8 2-3U1A

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
STR2P3LLH6

STR2P3LLH6

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 2A SOT-23

Tootjad: STMicroelectronics
Laos
RFQ
RHU003N03FRAT106

RHU003N03FRAT106

Kirjeldus: 4V DRIVE NCH MOSFET (CORRESPONDS

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
FCP7N60_F080

FCP7N60_F080

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 7A TO-220

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
IRF7403TR

IRF7403TR

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-SOIC

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IRFB7430PBF

IRFB7430PBF

Kirjeldus: MOSFET N CH 40V 195A TO220

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IXFN40N110P

IXFN40N110P

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1100V 34A SOT-227B

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
FDA33N25

FDA33N25

Kirjeldus: MOSFET N-CH 250V 33A TO-3PN

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
BSS123_D87Z

BSS123_D87Z

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
DMN5L06WKQ-7

DMN5L06WKQ-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 50V 300MA SOT323

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
TSM2328CX RFG

TSM2328CX RFG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT23

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
SSM6J771G,LF

SSM6J771G,LF

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 5A 6WCSP

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
TSM4425CS RLG

TSM4425CS RLG

Kirjeldus: MOSFET P-CHANNEL 8SOP

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
FDS8813NZ

FDS8813NZ

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 18.5A 8-SOIC

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
STP400N4F6

STP400N4F6

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V TO-220

Tootjad: STMicroelectronics
Laos
RFQ
SIHG80N60E-GE3

SIHG80N60E-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 80A TO247AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.