Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > RS1E320GNTB
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
2657480RS1E320GNTB piltLAPIS Semiconductor

RS1E320GNTB

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$1.46
10+
$1.296
100+
$1.024
500+
$0.794
1000+
$0.627
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    RS1E320GNTB
  • Tootja / bränd
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 30V 32A 8-HSOP
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
  • ECAD -mudel
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    8-HSOP
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.9 mOhm @ 32A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    3W (Ta), 34.6W (Tc)
  • Pakend
    Cut Tape (CT)
  • Pakett / kott
    8-PowerTDFN
  • Muud nimed
    RS1E320GNTBCT
  • Töötemperatuur
    150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    2850pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    42.8nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    4.5V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    30V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 30V 32A (Ta) 3W (Ta), 34.6W (Tc) Surface Mount 8-HSOP
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    32A (Ta)
RS1E200BNTB

RS1E200BNTB

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RS1E170GNTB

RS1E170GNTB

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 17A 8-HSOP

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RS1G

RS1G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 1A SMA

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RS1E280GNTB

RS1E280GNTB

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 28A 8-HSOP

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RS1G-M3/61T

RS1G-M3/61T

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RS1G-13-F

RS1G-13-F

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 1A SMA

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RS1E240GNTB

RS1E240GNTB

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 24A 8-HSOP

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RS1E350BNTB

RS1E350BNTB

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 35A 8HSOP

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RS1G-M3/5AT

RS1G-M3/5AT

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RS1E280BNTB

RS1E280BNTB

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 28A 8HSOP

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RS1E180BNTB

RS1E180BNTB

Kirjeldus: MOSFET N-CHANNEL 30V 60A 8-HSOP

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RS1E240BNTB

RS1E240BNTB

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 24A 8HSOP

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RS1E150GNTB

RS1E150GNTB

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 15A 8-HSOP

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RS1G-13

RS1G-13

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 1A SMA

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RS1G R3G

RS1G R3G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RS1E300GNTB

RS1E300GNTB

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 30A 8-HSOP

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RS1G M2G

RS1G M2G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RS1E200GNTB

RS1E200GNTB

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 20A 8-HSOP

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RS1G-E3/61T

RS1G-E3/61T

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RS1G-E3/5AT

RS1G-E3/5AT

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi