Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > RS1E350BNTB
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
3097523RS1E350BNTB piltLAPIS Semiconductor

RS1E350BNTB

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$1.79
10+
$1.615
100+
$1.298
500+
$1.009
1000+
$0.836
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    RS1E350BNTB
  • Tootja / bränd
    LAPIS Technology
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 30V 35A 8HSOP
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    1.RS1E350BNTB.pdf
    2.RS1E350BNTB.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    8-HSOP
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.7 mOhm @ 35A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    35W (Tc)
  • Pakend
    Original-Reel®
  • Pakett / kott
    8-PowerTDFN
  • Muud nimed
    RS1E350BNTBDKR
  • Töötemperatuur
    150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    7900pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    185nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    4.5V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    30V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 30V 35A (Ta) 35W (Tc) Surface Mount 8-HSOP
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    35A (Ta)

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

2024/11/26

NVIDIA RTX 5090 graafikakaardi GPU pindala on 744 mm ², mi...

2024/11/25

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

2024/11/23

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

2024/11/22

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15
Saatmine
Makse
Järgnev on "RS1E350BNTB" seotud tooted.
RS1E280BNTB

RS1E280BNTB

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 28A 8HSOP

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
RS1E240BNTB

RS1E240BNTB

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 24A 8HSOP

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
RS1E180BNTB

RS1E180BNTB

Kirjeldus: MOSFET N-CHANNEL 30V 60A 8-HSOP

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
RS1G-E3/5AT

RS1G-E3/5AT

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
RS1G M2G

RS1G M2G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
RS1G-13

RS1G-13

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 1A SMA

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
RS1E300GNTB

RS1E300GNTB

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 30A 8-HSOP

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
RS1G R3G

RS1G R3G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
RS1G-M3/5AT

RS1G-M3/5AT

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
RS1G-13-F

RS1G-13-F

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 1A SMA

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
RS1E240GNTB

RS1E240GNTB

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 24A 8-HSOP

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
RS1G-E3/61T

RS1G-E3/61T

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
RS1E200GNTB

RS1E200GNTB

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 20A 8-HSOP

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
RS1E320GNTB

RS1E320GNTB

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 32A 8-HSOP

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
RS1E200BNTB

RS1E200BNTB

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
RS1G-M3/61T

RS1G-M3/61T

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
RS1E170GNTB

RS1E170GNTB

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 17A 8-HSOP

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
RS1E280GNTB

RS1E280GNTB

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 28A 8-HSOP

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
RS1G

RS1G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 1A SMA

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
RS1G/1

RS1G/1

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.