Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > RS3E095BNGZETB
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
4447776

RS3E095BNGZETB

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$0.88
10+
$0.767
100+
$0.592
500+
$0.438
1000+
$0.351
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    RS3E095BNGZETB
  • Tootja / bränd
    LAPIS Technology
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CHANNEL 30V 9.5A 8SOP
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    RS3E095BNGZETB.pdf
  • ECAD -mudel
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    8-SOP
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    14.6 mOhm @ 9.5A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    2W (Tc)
  • Pakend
    Cut Tape (CT)
  • Pakett / kott
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Muud nimed
    RS3E095BNGZETBCT
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    680pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    8.3nC @ 4.5V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    30V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 30V 9.5A (Ta) 2W (Tc) Surface Mount 8-SOP
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    9.5A (Ta)

Analog & Power Management ICs: The Key to Future Intell...

2025/02/11

USC Develops Chip-Based Pulse-Mode EPR Sensor for Electroni...

2025/02/10

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29
Saatmine
Makse
Järgnev on "RS3E095BNGZETB" seotud tooted.
RS3G-13-F

RS3G-13-F

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 3A SMC

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
RS3G-E3/9AT

RS3G-E3/9AT

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
RS3DHE3_A/I

RS3DHE3_A/I

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
RS3DHE3/57T

RS3DHE3/57T

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
RS3DHM6G

RS3DHM6G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
RS3E075ATTB

RS3E075ATTB

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 7.5A 8SOP

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
RS3G M6G

RS3G M6G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
RS3G V7G

RS3G V7G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
RS3DB-13

RS3DB-13

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 3A SMB

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
RS3G-M3/9AT

RS3G-M3/9AT

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
RS3G R7G

RS3G R7G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
RS3DHR7G

RS3DHR7G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
RS3G-13

RS3G-13

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 3A SMC

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
RS3DHE3/9AT

RS3DHE3/9AT

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
RS3G-E3/57T

RS3G-E3/57T

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
RS3D-M3/9AT

RS3D-M3/9AT

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
RS3E135BNGZETB

RS3E135BNGZETB

Kirjeldus: MOSFET N-CHANNEL 30V 9.5A 8SOP

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
RS3DHE3_A/H

RS3DHE3_A/H

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
RS3G-M3/57T

RS3G-M3/57T

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
RS3DB-13-F

RS3DB-13-F

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 3A SMB

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustUudisedSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.