Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Dioodid - alaldid - üksikud > RS3G M6G
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
2082065RS3G M6G piltTSC (Taiwan Semiconductor)

RS3G M6G

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
6000+
$0.102
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    RS3G M6G
  • Tootja / bränd
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
  • Pinge - Edasi (Vf) (Max) @ Kui
    1.3V @ 3A
  • Pinge - DC reverse (Vr) (max)
    400V
  • Pakkuja seadme pakett
    DO-214AB (SMC)
  • Kiirus
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Seeria
    -
  • Pöörde taastamise aeg (trr)
    150ns
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    DO-214AB, SMC
  • Muud nimed
    RS3G M6G-ND
    RS3GM6G
  • Töötemperatuur - ühenduskoht
    -55°C ~ 150°C
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diode tüüp
    Standard
  • Täpsem kirjeldus
    Diode Standard 400V 3A Surface Mount DO-214AB (SMC)
  • Praegune - tagasikäik @ Vr
    10µA @ 400V
  • Jooksev - keskmine parandatud (Io)
    3A
  • Mahtuvus @ Vr, F
    -
RS3DHE3_A/I

RS3DHE3_A/I

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RS3G-E3/9AT

RS3G-E3/9AT

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RS3E135BNGZETB

RS3E135BNGZETB

Kirjeldus: MOSFET N-CHANNEL 30V 9.5A 8SOP

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RS3E095BNGZETB

RS3E095BNGZETB

Kirjeldus: MOSFET N-CHANNEL 30V 9.5A 8SOP

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RS3G-E3/57T

RS3G-E3/57T

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RS3GB-13

RS3GB-13

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 3A SMB

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RS3G-M3/9AT

RS3G-M3/9AT

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RS3DHR7G

RS3DHR7G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RS3DHE3/57T

RS3DHE3/57T

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RS3DB-13-F

RS3DB-13-F

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 3A SMB

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RS3G V7G

RS3G V7G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RS3G-13

RS3G-13

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 3A SMC

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RS3DHM6G

RS3DHM6G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RS3G/7T

RS3G/7T

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RS3DHE3_A/H

RS3DHE3_A/H

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RS3G R7G

RS3G R7G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RS3G-13-F

RS3G-13-F

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 3A SMC

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RS3DHE3/9AT

RS3DHE3/9AT

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RS3G-M3/57T

RS3G-M3/57T

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RS3E075ATTB

RS3E075ATTB

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 7.5A 8SOP

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi