Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > RXH125N03TB1
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
3089660

RXH125N03TB1

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
2500+
$0.531
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    RXH125N03TB1
  • Tootja / bränd
    LAPIS Technology
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    1.RXH125N03TB1.pdf
    2.RXH125N03TB1.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    8-SOP
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    12 mOhm @ 12.5A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    2W (Ta)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Töötemperatuur
    150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    1000pF @ 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    12.7nC @ 5V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    4V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    30V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 30V 12.5A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SOP
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    12.5A (Ta)

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

2024/11/23

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

2024/11/22

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "RXH125N03TB1" seotud tooted.
AUIRLR2908

AUIRLR2908

Kirjeldus: MOSFET N-CH 80V 30A DPAK

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
STP20N95K5

STP20N95K5

Kirjeldus: MOSFET N-CH 950V 17.5A TO-220

Tootjad: STMicroelectronics
Laos
RFQ
STB43N65M5

STB43N65M5

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 42A

Tootjad: STMicroelectronics
Laos
RFQ
AON7403L_001

AON7403L_001

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 11A 8DFN

Tootjad: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Laos
RFQ
NTMFS5C442NT3G

NTMFS5C442NT3G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 29A 140A 5DFN

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDMC7672

FDMC7672

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 8-MLP

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NVMFS5C677NLWFT1G

NVMFS5C677NLWFT1G

Kirjeldus: T6 60V S08FL SINGLE

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
DMN10H220LE-13

DMN10H220LE-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT223

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN6040SFDE-7

DMN6040SFDE-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 5.3A U-DFN

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
SI7153DN-T1-GE3

SI7153DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 18A POWERPAK1212

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
IRF7807VD2TRPBF

IRF7807VD2TRPBF

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
RJK1051DPB-00#J5

RJK1051DPB-00#J5

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 15A LFPAK

Tootjad: Renesas Electronics America
Laos
RFQ
SI2333DS-T1-E3

SI2333DS-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
IXFX27N80Q

IXFX27N80Q

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 27A PLUS 247

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IRFH5255TR2PBF

IRFH5255TR2PBF

Kirjeldus: MOSFET N-CH 25V 15A 8VQFN

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IRF3707ZSTRL

IRF3707ZSTRL

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 59A D2PAK

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
PSMN5R6-100BS,118

PSMN5R6-100BS,118

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK

Tootjad: Nexperia
Laos
RFQ
IXFX90N30

IXFX90N30

Kirjeldus: MOSFET N-CH 300V 90A PLUS247

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
NVMFS5885NLWFT1G

NVMFS5885NLWFT1G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 39A SO8FL

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
PMF370XN,115

PMF370XN,115

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 0.87A SOT323

Tootjad: Nexperia
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.