Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Integraallülitused (IC) > Mälu > EDB1316BDBH-1DAAT-F-R TR
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
1456897EDB1316BDBH-1DAAT-F-R TR piltMicron Technology

EDB1316BDBH-1DAAT-F-R TR

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1000+
$7.371
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    EDB1316BDBH-1DAAT-F-R TR
  • Tootja / bränd
    Micron Technology
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    EDB1316BDBH-1DAAT-F-R TR.pdf
  • Kirjutage tsükli aeg - sõna, lehekülg
    -
  • Pinge - varustus
    1.14 V ~ 1.95 V
  • Tehnoloogia
    SDRAM - Mobile LPDDR2
  • Pakkuja seadme pakett
    134-VFBGA (10x11.5)
  • Seeria
    -
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    134-VFBGA
  • Muud nimed
    EDB1316BDBH-1DAAT-F-R TR-ND
    EDB1316BDBH-1DAAT-F-RTR
  • Töötemperatuur
    -40°C ~ 105°C (TC)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Mälu tüüp
    Volatile
  • Mälu suurus
    1Gb (64M x 16)
  • Mäluliides
    Parallel
  • Mäluportaal
    DRAM
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Täpsem kirjeldus
    SDRAM - Mobile LPDDR2 Memory IC 1Gb (64M x 16) Parallel 533MHz 134-VFBGA (10x11.5)
  • Kellade sagedus
    533MHz

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "EDB1316BDBH-1DAAT-F-R TR" seotud tooted.
EDB2432B4MA-1DAAT-F-D

EDB2432B4MA-1DAAT-F-D

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 134VFBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
RFQ
EDB1316BDBH-1DAUT-F-R TR

EDB1316BDBH-1DAUT-F-R TR

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
RFQ
EDB1332BDBH-1DAAT-F-D

EDB1332BDBH-1DAAT-F-D

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
RFQ
EDB2432B4MA-1DAUT-F-R TR

EDB2432B4MA-1DAUT-F-R TR

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 134VFBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
RFQ
EDB1332BDPC-1D-F-D

EDB1332BDPC-1D-F-D

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
RFQ
EDB2432B4MA-1DAAT-F-R TR

EDB2432B4MA-1DAAT-F-R TR

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 134VFBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
RFQ
EDB2432B4MA-1DAUT-F-D

EDB2432B4MA-1DAUT-F-D

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 134VFBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
RFQ
EDB1316BDBH-1DAUT-F-D

EDB1316BDBH-1DAUT-F-D

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
RFQ
EDB130ABDBH-1D-F-D

EDB130ABDBH-1D-F-D

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
RFQ
EDB1332BDPC-1D-F-R TR

EDB1332BDPC-1D-F-R TR

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
RFQ
EDB1316BDBH-1DIT-F-D

EDB1316BDBH-1DIT-F-D

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
RFQ
EDB1332BDBH-1DAUT-F-R TR

EDB1332BDBH-1DAUT-F-R TR

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
RFQ
EDB1316BDBH-1DAAT-F-D

EDB1316BDBH-1DAAT-F-D

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
RFQ
EDB1332BDBH-1DAAT-F-R TR

EDB1332BDBH-1DAAT-F-R TR

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
RFQ
EDB1332BDBH-1DIT-F-R TR

EDB1332BDBH-1DIT-F-R TR

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
RFQ
EDB2432B4MA-1DIT-F-D

EDB2432B4MA-1DIT-F-D

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 533MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
RFQ
EDB1332BDBH-1DIT-F-D

EDB1332BDBH-1DIT-F-D

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
RFQ
EDB1332BDPA-1D-F-D

EDB1332BDPA-1D-F-D

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 168WFBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
RFQ
EDB1316BDBH-1DIT-F-R TR

EDB1316BDBH-1DIT-F-R TR

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
RFQ
EDB1332BDBH-1DAUT-F-D

EDB1332BDBH-1DAUT-F-D

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.