Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Integraallülitused (IC) > Mälu > MT29E4T08EYHBBG9-3:B
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
5355546

MT29E4T08EYHBBG9-3:B

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
980+
$213.362
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    MT29E4T08EYHBBG9-3:B
  • Tootja / bränd
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    IC FLASH 4T PARALLEL 333MHZ
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Kirjutage tsükli aeg - sõna, lehekülg
    -
  • Pinge - varustus
    2.5 V ~ 3.6 V
  • Tehnoloogia
    FLASH - NAND
  • Seeria
    -
  • Töötemperatuur
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Mälu tüüp
    Non-Volatile
  • Mälu suurus
    4Tb (512G x 8)
  • Mäluliides
    Parallel
  • Mäluportaal
    FLASH
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Täpsem kirjeldus
    FLASH - NAND Memory IC 4Tb (512G x 8) Parallel 333MHz
  • Kellade sagedus
    333MHz
MT29E4T08CTHBBM5-3ES:B TR

MT29E4T08CTHBBM5-3ES:B TR

Kirjeldus: IC FLASH 4T PARALLEL 333MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT29E512G08CMCCBH7-6:C TR

MT29E512G08CMCCBH7-6:C TR

Kirjeldus: IC FLASH 512G PARALLEL 167MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT29E3T08EQHBBG2-3:B

MT29E3T08EQHBBG2-3:B

Kirjeldus: IC FLASH 3T PARALLEL 333MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT29E4T08EYHBBG9-3ES:B

MT29E4T08EYHBBG9-3ES:B

Kirjeldus: IC FLASH 4T PARALLEL 333MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT29E384G08EBHBBJ4-3:B TR

MT29E384G08EBHBBJ4-3:B TR

Kirjeldus: IC FLASH 384G PARALLEL 333MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT29E512G08CMCCBH7-6:C

MT29E512G08CMCCBH7-6:C

Kirjeldus: IC FLASH 512G PARALLEL 167MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT29E3T08EUHBBM4-3:B

MT29E3T08EUHBBM4-3:B

Kirjeldus: IC FLASH 3T PARALLEL 333MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR

MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR

Kirjeldus: IC FLASH 512G PARALLEL 333MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT29E3T08EUHBBM4-3ES:B TR

MT29E3T08EUHBBM4-3ES:B TR

Kirjeldus: IC FLASH 3T PARALLEL 333MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT29E384G08EBHBBJ4-3ES:B TR

MT29E384G08EBHBBJ4-3ES:B TR

Kirjeldus: IC FLASH 384G PARALLEL 333MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT29E4T08CTHBBM5-3:B

MT29E4T08CTHBBM5-3:B

Kirjeldus: IC FLASH 4T PARALLEL 333MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT29E3T08EUHBBM4-3:B TR

MT29E3T08EUHBBM4-3:B TR

Kirjeldus: IC FLASH 3T PARALLEL 333MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT29E512G08CKCCBH7-6:C TR

MT29E512G08CKCCBH7-6:C TR

Kirjeldus: IC FLASH 512G PARALLEL 167MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT29E512G08CKCBBH7-6:B TR

MT29E512G08CKCBBH7-6:B TR

Kirjeldus: IC FLASH 512G PARALLEL 167MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT29E512G08CEHBBJ4-3:B

MT29E512G08CEHBBJ4-3:B

Kirjeldus: IC FLASH 512G PARALLEL 333MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT29E3T08EQHBBG2-3ES:B

MT29E3T08EQHBBG2-3ES:B

Kirjeldus: IC FLASH 3T PARALLEL 333MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT29E4T08CTHBBM5-3:B TR

MT29E4T08CTHBBM5-3:B TR

Kirjeldus: IC FLASH 4T PARALLEL 333MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT29E512G08CMCBBH7-6:B TR

MT29E512G08CMCBBH7-6:B TR

Kirjeldus: IC FLASH 512G PARALLEL 167MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT29E512G08CKCCBH7-6:C

MT29E512G08CKCCBH7-6:C

Kirjeldus: IC FLASH 512G PARALLEL 167MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT29E512G08CEHBBJ4-3:B TR

MT29E512G08CEHBBJ4-3:B TR

Kirjeldus: IC FLASH 512G PARALLEL 333MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi