Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Integraallülitused (IC) > Mälu > MT29E512G08CKCCBH7-6:C
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
1631963

MT29E512G08CKCCBH7-6:C

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
980+
$68.558
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    MT29E512G08CKCCBH7-6:C
  • Tootja / bränd
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    IC FLASH 512G PARALLEL 167MHZ
  • Lead Free status / RoHS staatus
  • Kirjutage tsükli aeg - sõna, lehekülg
    -
  • Pinge - varustus
    2.7 V ~ 3.6 V
  • Tehnoloogia
    FLASH - NAND
  • Seeria
    -
  • Töötemperatuur
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Mälu tüüp
    Non-Volatile
  • Mälu suurus
    512Gb (64G x 8)
  • Mäluliides
    Parallel
  • Mäluportaal
    FLASH
  • Täpsem kirjeldus
    FLASH - NAND Memory IC 512Gb (64G x 8) Parallel 167MHz
  • Kellade sagedus
    167MHz
MT29E512G08CMCCBH7-6:C TR

MT29E512G08CMCCBH7-6:C TR

Kirjeldus: IC FLASH 512G PARALLEL 167MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR

MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR

Kirjeldus: IC FLASH 512G PARALLEL 333MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT29E512G08CKCCBH7-6:C TR

MT29E512G08CKCCBH7-6:C TR

Kirjeldus: IC FLASH 512G PARALLEL 167MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT29E512G08CUCABJ3-10Z:A

MT29E512G08CUCABJ3-10Z:A

Kirjeldus: IC FLASH 512G PARALLEL 132LBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT29E512G08CMCCBH7-6:C

MT29E512G08CMCCBH7-6:C

Kirjeldus: IC FLASH 512G PARALLEL 167MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT29E512G08CEHBBJ4-3:B TR

MT29E512G08CEHBBJ4-3:B TR

Kirjeldus: IC FLASH 512G PARALLEL 333MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT29E4T08CTHBBM5-3:B

MT29E4T08CTHBBM5-3:B

Kirjeldus: IC FLASH 4T PARALLEL 333MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT29E4T08CTHBBM5-3ES:B TR

MT29E4T08CTHBBM5-3ES:B TR

Kirjeldus: IC FLASH 4T PARALLEL 333MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT29E512G08CKCBBH7-6:B TR

MT29E512G08CKCBBH7-6:B TR

Kirjeldus: IC FLASH 512G PARALLEL 167MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT29E4T08CTHBBM5-3:B TR

MT29E4T08CTHBBM5-3:B TR

Kirjeldus: IC FLASH 4T PARALLEL 333MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT29E4T08EYHBBG9-3ES:B

MT29E4T08EYHBBG9-3ES:B

Kirjeldus: IC FLASH 4T PARALLEL 333MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT29E512G08CMCBBH7-6:B TR

MT29E512G08CMCBBH7-6:B TR

Kirjeldus: IC FLASH 512G PARALLEL 167MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT29E512G08CEHBBJ4-3:B

MT29E512G08CEHBBJ4-3:B

Kirjeldus: IC FLASH 512G PARALLEL 333MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT29E512G08CUCDBJ6-6:D

MT29E512G08CUCDBJ6-6:D

Kirjeldus: IC FLASH 512G PARALLEL 167MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT29E512G08CUCDBJ6-6:D TR

MT29E512G08CUCDBJ6-6:D TR

Kirjeldus: IC FLASH 512G PARALLEL 167MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT29E3T08EUHBBM4-3ES:B TR

MT29E3T08EUHBBM4-3ES:B TR

Kirjeldus: IC FLASH 3T PARALLEL 333MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT29E64G08CBCDBJ4-6:D

MT29E64G08CBCDBJ4-6:D

Kirjeldus: IC FLASH 64GBIT 48TSOP

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT29E512G08CUCABJ3-10Z:A TR

MT29E512G08CUCABJ3-10Z:A TR

Kirjeldus: IC FLASH 512G PARALLEL 132LBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT29E4T08EYHBBG9-3:B

MT29E4T08EYHBBG9-3:B

Kirjeldus: IC FLASH 4T PARALLEL 333MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT29E512G08CMCCBH7-6ES:C TR

MT29E512G08CMCCBH7-6ES:C TR

Kirjeldus: IC FLASH 512G PARALLEL 167MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi