Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Integraallülitused (IC) > Mälu > MT40A1G8WE-075E:B TR
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
1839480MT40A1G8WE-075E:B TR piltMicron Technology

MT40A1G8WE-075E:B TR

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
2000+
$15.309
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    MT40A1G8WE-075E:B TR
  • Tootja / bränd
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
  • Kirjutage tsükli aeg - sõna, lehekülg
    -
  • Pinge - varustus
    1.14 V ~ 1.26 V
  • Tehnoloogia
    SDRAM - DDR4
  • Pakkuja seadme pakett
    78-FBGA (8x12)
  • Seeria
    -
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    78-TFBGA
  • Muud nimed
    557-1726-2
    MT40A1G8WE-075E:B TR-ND
  • Töötemperatuur
    0°C ~ 95°C (TC)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Mälu tüüp
    Volatile
  • Mälu suurus
    8Gb (1G x 8)
  • Mäluliides
    Parallel
  • Mäluportaal
    DRAM
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Täpsem kirjeldus
    SDRAM - DDR4 Memory IC 8Gb (1G x 8) Parallel 1.33GHz 78-FBGA (8x12)
  • Kellade sagedus
    1.33GHz
MT40A1G8WE-083E:B TR

MT40A1G8WE-083E:B TR

Kirjeldus: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT40A1G8WE-083E AAT:B

MT40A1G8WE-083E AAT:B

Kirjeldus: IC DRAM 8G PARALLEL 1.2GHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT40A1G8WE-083E AIT:B

MT40A1G8WE-083E AIT:B

Kirjeldus: IC DRAM 8G PARALLEL 1.2GHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT40A1G8WE-083E AIT:B TR

MT40A1G8WE-083E AIT:B TR

Kirjeldus: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT40A1G8SA-075:H

MT40A1G8SA-075:H

Kirjeldus: IC DRAM 8G PARALLEL 1.33GHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT40A1G8SA-075:E TR

MT40A1G8SA-075:E TR

Kirjeldus: IC DRAM 8G PARALLEL 1.33GHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT40A1G8WE-083E IT:B TR

MT40A1G8WE-083E IT:B TR

Kirjeldus: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT40A1G8SA-062E:E TR

MT40A1G8SA-062E:E TR

Kirjeldus: IC DRAM 8G PARALLEL 1.6GHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT40A1G8WE-075E IT:B

MT40A1G8WE-075E IT:B

Kirjeldus: IC DRAM 8G PARALLEL 1.33GHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT40A1G8WE-075E IT:B TR

MT40A1G8WE-075E IT:B TR

Kirjeldus: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT40A1G8WE-083E AUT:B TR

MT40A1G8WE-083E AUT:B TR

Kirjeldus: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT40A1G8WE-075E AIT:B

MT40A1G8WE-075E AIT:B

Kirjeldus: IC DRAM 8G PARALLEL 1.33GHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT40A1G8WE-075E:B

MT40A1G8WE-075E:B

Kirjeldus: IC DRAM 8G PARALLEL 1.33GHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT40A1G8SA-062E:E

MT40A1G8SA-062E:E

Kirjeldus: IC DRAM 8G PARALLEL 1.6GHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT40A1G8WE-075E:D TR

MT40A1G8WE-075E:D TR

Kirjeldus: IC DRAM 8G PARALLEL 1.33GHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT40A1G8SA-075:E

MT40A1G8SA-075:E

Kirjeldus: IC DRAM 8G PARALLEL 1.33GHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT40A1G8WE-083E AAT:B TR

MT40A1G8WE-083E AAT:B TR

Kirjeldus: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT40A1G8WE-075E AIT:B TR

MT40A1G8WE-075E AIT:B TR

Kirjeldus: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT40A1G8WE-075E:D

MT40A1G8WE-075E:D

Kirjeldus: IC DRAM 8G PARALLEL 1.33GHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT40A1G8WE-083E AUT:B

MT40A1G8WE-083E AUT:B

Kirjeldus: IC DRAM 8G PARALLEL 1.2GHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi