Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Integraallülitused (IC) > Mälu > MT40A2G4TRF-083E:A
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
6441720

MT40A2G4TRF-083E:A

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    MT40A2G4TRF-083E:A
  • Tootja / bränd
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
  • Kirjutage tsükli aeg - sõna, lehekülg
    -
  • Pinge - varustus
    1.14 V ~ 1.26 V
  • Tehnoloogia
    SDRAM - DDR4
  • Pakkuja seadme pakett
    78-FBGA (9.5x11.5)
  • Seeria
    -
  • Pakend
    Tray
  • Pakett / kott
    78-TFBGA
  • Töötemperatuur
    0°C ~ 95°C (TC)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Mälu tüüp
    Volatile
  • Mälu suurus
    8Gb (2G x 4)
  • Mäluliides
    Parallel
  • Mäluportaal
    DRAM
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Täpsem kirjeldus
    SDRAM - DDR4 Memory IC 8Gb (2G x 4) Parallel 1.2GHz 78-FBGA (9.5x11.5)
  • Kellade sagedus
    1.2GHz
MT40A256M16GE-083E AUT:B

MT40A256M16GE-083E AUT:B

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 1.2GHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT40A2G4SA-062E:E TR

MT40A2G4SA-062E:E TR

Kirjeldus: IC DRAM 8G PARALLEL 1.6GHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT40A2G4WE-083E:B

MT40A2G4WE-083E:B

Kirjeldus: IC DRAM 8G PARALLEL 1.2GHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT40A2G4TRF-093E:A

MT40A2G4TRF-093E:A

Kirjeldus: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT40A256M16GE-083E IT:B TR

MT40A256M16GE-083E IT:B TR

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT40A2G4SA-075:E TR

MT40A2G4SA-075:E TR

Kirjeldus: IC DRAM 8G PARALLEL 1.33GHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT40A256M16Z90BWC1

MT40A256M16Z90BWC1

Kirjeldus: DDR4 4G DIE 256MX16

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT40A256M16GE-083E:B

MT40A256M16GE-083E:B

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT40A2G4PM-083E:A

MT40A2G4PM-083E:A

Kirjeldus: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT40A2G4WE-083E:B TR

MT40A2G4WE-083E:B TR

Kirjeldus: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT40A2G4WE-075E:B TR

MT40A2G4WE-075E:B TR

Kirjeldus: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT40A2G8FSE-083E:A

MT40A2G8FSE-083E:A

Kirjeldus: IC DRAM 16G PARALLEL 1.2GHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT40A256M16GE-083E AUT:B TR

MT40A256M16GE-083E AUT:B TR

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 1.2GHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT40A2G4SA-062E:E

MT40A2G4SA-062E:E

Kirjeldus: IC DRAM 8G PARALLEL 1.6GHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT40A2G8FSE-083E:A TR

MT40A2G8FSE-083E:A TR

Kirjeldus: IC DRAM 16G PARALLEL 1.2GHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT40A2G4SA-075:E

MT40A2G4SA-075:E

Kirjeldus: IC DRAM 8G PARALLEL 1.33GHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT40A2G4WE-075E:D TR

MT40A2G4WE-075E:D TR

Kirjeldus: IC DRAM 8G PARALLEL 1.33GHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT40A2G4TRF-107E:A

MT40A2G4TRF-107E:A

Kirjeldus: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT40A2G4WE-075E:B

MT40A2G4WE-075E:B

Kirjeldus: IC DRAM 8G PARALLEL 1.33GHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT40A2G4WE-075E:D

MT40A2G4WE-075E:D

Kirjeldus: IC DRAM 8G PARALLEL 1.33GHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi