Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Integraallülitused (IC) > Mälu > MT40A2G4WE-083E:B
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
1423835

MT40A2G4WE-083E:B

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1140+
$23.693
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    MT40A2G4WE-083E:B
  • Tootja / bränd
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    IC DRAM 8G PARALLEL 1.2GHZ
  • Lead Free status / RoHS staatus
  • Andmelehed
  • Kirjutage tsükli aeg - sõna, lehekülg
    -
  • Pinge - varustus
    1.14 V ~ 1.26 V
  • Tehnoloogia
    SDRAM - DDR4
  • Seeria
    -
  • Töötemperatuur
    0°C ~ 95°C (TC)
  • Mälu tüüp
    Volatile
  • Mälu suurus
    8Gb (2G x 4)
  • Mäluliides
    Parallel
  • Mäluportaal
    DRAM
  • Täpsem kirjeldus
    SDRAM - DDR4 Memory IC 8Gb (2G x 4) Parallel 1.2GHz
  • Kellade sagedus
    1.2GHz
MT40A2G8FSE-093E:A TR

MT40A2G8FSE-093E:A TR

Kirjeldus: IC DRAM 16G PARALLEL 78FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT40A2G4TRF-083E:A

MT40A2G4TRF-083E:A

Kirjeldus: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT40A2G4WE-075E:D

MT40A2G4WE-075E:D

Kirjeldus: IC DRAM 8G PARALLEL 1.33GHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT40A2G8FSE-083E:A

MT40A2G8FSE-083E:A

Kirjeldus: IC DRAM 16G PARALLEL 1.2GHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT40A2G4TRF-107E:A

MT40A2G4TRF-107E:A

Kirjeldus: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT40A2G8FSE-083E:A TR

MT40A2G8FSE-083E:A TR

Kirjeldus: IC DRAM 16G PARALLEL 1.2GHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT40A2G4WE-075E:B

MT40A2G4WE-075E:B

Kirjeldus: IC DRAM 8G PARALLEL 1.33GHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT40A2G8NRE-083E:B

MT40A2G8NRE-083E:B

Kirjeldus: IC DRAM 16G PARALLEL 1.2GHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT40A4G4FSE-083E:A

MT40A4G4FSE-083E:A

Kirjeldus: IC DRAM 16G PARALLEL 1.2GHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT40A2G4SA-075:E

MT40A2G4SA-075:E

Kirjeldus: IC DRAM 8G PARALLEL 1.33GHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT40A2G4WE-075E:B TR

MT40A2G4WE-075E:B TR

Kirjeldus: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT40A2G4SA-075:E TR

MT40A2G4SA-075:E TR

Kirjeldus: IC DRAM 8G PARALLEL 1.33GHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT40A2G4WE-083E:B TR

MT40A2G4WE-083E:B TR

Kirjeldus: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT40A2G8NRE-083E:B TR

MT40A2G8NRE-083E:B TR

Kirjeldus: IC DRAM 16G PARALLEL 78FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT40A2G4SA-062E:E TR

MT40A2G4SA-062E:E TR

Kirjeldus: IC DRAM 8G PARALLEL 1.6GHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT40A2G4TRF-093E:A

MT40A2G4TRF-093E:A

Kirjeldus: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT40A4G4HPR-075H:G

MT40A4G4HPR-075H:G

Kirjeldus: MEMORY DRAM

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT40A4G4FSE-083E:A TR

MT40A4G4FSE-083E:A TR

Kirjeldus: IC DRAM 16G PARALLEL 1.2GHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT40A2G8FSE-093E:A

MT40A2G8FSE-093E:A

Kirjeldus: IC DRAM 16G PARALLEL 1067MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT40A2G4WE-075E:D TR

MT40A2G4WE-075E:D TR

Kirjeldus: IC DRAM 8G PARALLEL 1.33GHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi