Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Integraallülitused (IC) > Mälu > MT40A2G8NRE-083E:B TR
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
3340607MT40A2G8NRE-083E:B TR piltMicron Technology

MT40A2G8NRE-083E:B TR

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
2000+
$56.16
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    MT40A2G8NRE-083E:B TR
  • Tootja / bränd
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    IC DRAM 16G PARALLEL 78FBGA
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
  • Kirjutage tsükli aeg - sõna, lehekülg
    -
  • Pinge - varustus
    1.14 V ~ 1.26 V
  • Tehnoloogia
    SDRAM - DDR4
  • Pakkuja seadme pakett
    78-FBGA (8x12)
  • Seeria
    -
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    78-TFBGA
  • Muud nimed
    557-1733-2
    MT40A2G8NRE-083E:B TR-ND
  • Töötemperatuur
    0°C ~ 95°C (TC)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Mälu tüüp
    Volatile
  • Mälu suurus
    16Gb (2G x 8)
  • Mäluliides
    Parallel
  • Mäluportaal
    DRAM
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Täpsem kirjeldus
    SDRAM - DDR4 Memory IC 16Gb (2G x 8) Parallel 1.2GHz 78-FBGA (8x12)
  • Kellade sagedus
    1.2GHz
MT40A2G8FSE-093E:A TR

MT40A2G8FSE-093E:A TR

Kirjeldus: IC DRAM 16G PARALLEL 78FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT40A2G4WE-083E:B

MT40A2G4WE-083E:B

Kirjeldus: IC DRAM 8G PARALLEL 1.2GHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT40A4G4FSE-083E:A TR

MT40A4G4FSE-083E:A TR

Kirjeldus: IC DRAM 16G PARALLEL 1.2GHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT40A4G4NRE-075E:B

MT40A4G4NRE-075E:B

Kirjeldus: IC DRAM 16G PARALLEL 1.33GHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT40A2G8FSE-083E:A

MT40A2G8FSE-083E:A

Kirjeldus: IC DRAM 16G PARALLEL 1.2GHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT40A4G4HPR-075H:G

MT40A4G4HPR-075H:G

Kirjeldus: MEMORY DRAM

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT40A4G4FSE-083E:A

MT40A4G4FSE-083E:A

Kirjeldus: IC DRAM 16G PARALLEL 1.2GHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT40A2G4WE-075E:D

MT40A2G4WE-075E:D

Kirjeldus: IC DRAM 8G PARALLEL 1.33GHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT40A4G4NRE-083E:B

MT40A4G4NRE-083E:B

Kirjeldus: IC DRAM 16G PARALLEL 1.2GHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT40A2G4WE-083E:B TR

MT40A2G4WE-083E:B TR

Kirjeldus: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT40A2G8FSE-083E:A TR

MT40A2G8FSE-083E:A TR

Kirjeldus: IC DRAM 16G PARALLEL 1.2GHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT40A4G4NRE-083E C:B

MT40A4G4NRE-083E C:B

Kirjeldus: IC DRAM 16G PARALLEL 78FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT40A4G8KVA-083H:G

MT40A4G8KVA-083H:G

Kirjeldus: IC DRAM 32G PARALLEL 1.2GHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT40A2G4WE-075E:D TR

MT40A2G4WE-075E:D TR

Kirjeldus: IC DRAM 8G PARALLEL 1.33GHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT40A4G4HPR-075H:G TR

MT40A4G4HPR-075H:G TR

Kirjeldus: MEMORY DRAM

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT40A2G4WE-075E:B TR

MT40A2G4WE-075E:B TR

Kirjeldus: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT40A2G8NRE-083E:B

MT40A2G8NRE-083E:B

Kirjeldus: IC DRAM 16G PARALLEL 1.2GHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT40A4G4NRE-083E:B TR

MT40A4G4NRE-083E:B TR

Kirjeldus: IC DRAM 16G PARALLEL 78FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT40A4G4NRE-075E:B TR

MT40A4G4NRE-075E:B TR

Kirjeldus: IC DRAM 16G PARALLEL 78FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT40A2G8FSE-093E:A

MT40A2G8FSE-093E:A

Kirjeldus: IC DRAM 16G PARALLEL 1067MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi