Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Integraallülitused (IC) > Mälu > MT41K256M16TW-125:P
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
2669586

MT41K256M16TW-125:P

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    MT41K256M16TW-125:P
  • Tootja / bränd
    Micron Technology
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    IC DRAM 4G PARALLEL 800MHZ
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    MT41K256M16TW-125:P.pdf
  • Kirjutage tsükli aeg - sõna, lehekülg
    -
  • Pinge - varustus
    1.283 V ~ 1.45 V
  • Tehnoloogia
    SDRAM - DDR3L
  • Seeria
    -
  • Töötemperatuur
    0°C ~ 95°C (TC)
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Mälu tüüp
    Volatile
  • Mälu suurus
    4Gb (256M x 16)
  • Mäluliides
    Parallel
  • Mäluportaal
    DRAM
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Täpsem kirjeldus
    SDRAM - DDR3L Memory IC 4Gb (256M x 16) Parallel 800MHz 20ns
  • Kellade sagedus
    800MHz
  • Juurdepääsuaeg
    20ns

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "MT41K256M16TW-125:P" seotud tooted.
MT41K256M16V80AWC1

MT41K256M16V80AWC1

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL DIE

Tootjad: Micron Technology
Laos
RFQ
MT41K256M16TW-107 AUT:P

MT41K256M16TW-107 AUT:P

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 933MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
RFQ
MT41K256M4DA-107:J

MT41K256M4DA-107:J

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
RFQ
MT41K256M16TW-107 V:P

MT41K256M16TW-107 V:P

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 933MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
RFQ
MT41K256M16TW-107 XIT:P

MT41K256M16TW-107 XIT:P

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
RFQ
MT41K256M4JP-15E:G

MT41K256M4JP-15E:G

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
RFQ
MT41K256M16TW-107 M AIT:P TR

MT41K256M16TW-107 M AIT:P TR

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
RFQ
MT41K256M16TW-107:P TR

MT41K256M16TW-107:P TR

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
RFQ
MT41K256M16V00HWC1

MT41K256M16V00HWC1

Kirjeldus: IC FLASH NAND 32GX8 TSOP

Tootjad: Micron Technology
Laos
RFQ
MT41K256M16TW-107 AT:P TR

MT41K256M16TW-107 AT:P TR

Kirjeldus: MEMORY DRAM

Tootjad: Micron Technology
Laos
RFQ
MT41K256M16V90BWC1

MT41K256M16V90BWC1

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL DIE

Tootjad: Micron Technology
Laos
RFQ
MT41K256M16TW-107 AUT:P TR

MT41K256M16TW-107 AUT:P TR

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 933MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
RFQ
MT41K256M8DA-107 AAT:K

MT41K256M8DA-107 AAT:K

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
RFQ
MT41K256M16TW-107 V:P TR

MT41K256M16TW-107 V:P TR

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 933MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
RFQ
MT41K256M16V00HWC1-N001

MT41K256M16V00HWC1-N001

Kirjeldus: DDR3 4G DIE 256MX16

Tootjad: Micron Technology
Laos
RFQ
MT41K256M4JP-125:G

MT41K256M4JP-125:G

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
RFQ
MT41K256M16TW-107 XIT:P TR

MT41K256M16TW-107 XIT:P TR

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
RFQ
MT41K256M4JP-15E:G TR

MT41K256M4JP-15E:G TR

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
RFQ
MT41K256M16TW-107:P

MT41K256M16TW-107:P

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
RFQ
MT41K256M4DA-107:J TR

MT41K256M4DA-107:J TR

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.