Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Integraallülitused (IC) > Mälu > MT41K256M16V90BWC1
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
2183408

MT41K256M16V90BWC1

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$11.63
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    MT41K256M16V90BWC1
  • Tootja / bränd
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    IC DRAM 4G PARALLEL DIE
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Kirjutage tsükli aeg - sõna, lehekülg
    -
  • Pinge - varustus
    1.283 V ~ 1.45 V
  • Tehnoloogia
    SDRAM - DDR3L
  • Seeria
    -
  • Töötemperatuur
    0°C ~ 95°C (TC)
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Mälu tüüp
    Volatile
  • Mälu suurus
    4Gb (256M x 16)
  • Mäluliides
    Parallel
  • Mäluportaal
    DRAM
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Täpsem kirjeldus
    SDRAM - DDR3L Memory IC 4Gb (256M x 16) Parallel
MT41K256M16TW-125:P

MT41K256M16TW-125:P

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 800MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41K256M4DA-107:J

MT41K256M4DA-107:J

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41K256M8DA-107 AAT:K TR

MT41K256M8DA-107 AAT:K TR

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41K256M16TW-107 V:P TR

MT41K256M16TW-107 V:P TR

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 933MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41K256M16V00HWC1-N001

MT41K256M16V00HWC1-N001

Kirjeldus: DDR3 4G DIE 256MX16

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41K256M4JP-125:G

MT41K256M4JP-125:G

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41K256M8DA-107 IT:K TR

MT41K256M8DA-107 IT:K TR

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41K256M16TW-107 V:P

MT41K256M16TW-107 V:P

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 933MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41K256M16TW-107 XIT:P

MT41K256M16TW-107 XIT:P

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41K256M16TW-107:P TR

MT41K256M16TW-107:P TR

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41K256M16V80AWC1

MT41K256M16V80AWC1

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL DIE

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41K256M4JP-15E:G

MT41K256M4JP-15E:G

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41K256M4DA-107:J TR

MT41K256M4DA-107:J TR

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41K256M8DA-107:K

MT41K256M8DA-107:K

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41K256M4JP-15E:G TR

MT41K256M4JP-15E:G TR

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41K256M16TW-107 XIT:P TR

MT41K256M16TW-107 XIT:P TR

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41K256M8DA-107 AAT:K

MT41K256M8DA-107 AAT:K

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41K256M16TW-107:P

MT41K256M16TW-107:P

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41K256M16V00HWC1

MT41K256M16V00HWC1

Kirjeldus: IC FLASH NAND 32GX8 TSOP

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41K256M8DA-107 IT:K

MT41K256M8DA-107 IT:K

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi