Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Integreeritud vooluringid (IC) > Mälu > MT41K512M4HX-15E:D
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
5936310

MT41K512M4HX-15E:D

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1000+
$15.45
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    MT41K512M4HX-15E:D
  • Tootja / bränd
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
  • Kirjutage tsükli aeg - sõna, lehekülg
    -
  • Pinge - varustus
    1.283 V ~ 1.45 V
  • Tehnoloogia
    SDRAM - DDR3L
  • Pakkuja seadme pakett
    78-FBGA (9x11.5)
  • Seeria
    -
  • Pakend
    Tray
  • Pakett / kott
    78-TFBGA
  • Töötemperatuur
    0°C ~ 95°C (TC)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Mälu tüüp
    Volatile
  • Mälu suurus
    2Gb (512M x 4)
  • Mäluliides
    Parallel
  • Mäluportaal
    DRAM
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Täpsem kirjeldus
    SDRAM - DDR3L Memory IC 2Gb (512M x 4) Parallel 667MHz 13.5ns 78-FBGA (9x11.5)
  • Kellade sagedus
    667MHz
  • Baasosa number
    MT41K512M4
  • Juurdepääsuaeg
    13.5ns
MT41K512M16TNA-125 M:E TR

MT41K512M16TNA-125 M:E TR

Kirjeldus: IC DRAM 8G PARALLEL 96FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41K512M16TNA-125 IT:E TR

MT41K512M16TNA-125 IT:E TR

Kirjeldus: IC DRAM 8G PARALLEL 96FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41K512M4HX-187E:D

MT41K512M4HX-187E:D

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41K512M8DA-093 IT:P TR

MT41K512M8DA-093 IT:P TR

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41K512M8DA-107 AAT:P

MT41K512M8DA-107 AAT:P

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41K512M4DA-107:K

MT41K512M4DA-107:K

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41K512M8DA-107 V:P

MT41K512M8DA-107 V:P

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 933MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41K512M16TNA-125:E TR

MT41K512M16TNA-125:E TR

Kirjeldus: IC DRAM 8G PARALLEL 96FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41K512M8DA-107 AIT:P

MT41K512M8DA-107 AIT:P

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41K512M8DA-107 IT:P

MT41K512M8DA-107 IT:P

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41K512M16V91AWC1

MT41K512M16V91AWC1

Kirjeldus: DDR3 8G DIE 512MX16

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41K512M4DA-125:M

MT41K512M4DA-125:M

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41K512M4DA-125:K TR

MT41K512M4DA-125:K TR

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41K512M16TNA-125:E

MT41K512M16TNA-125:E

Kirjeldus: IC DRAM 8G PARALLEL 96FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41K512M8DA-107 AAT:P TR

MT41K512M8DA-107 AAT:P TR

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41K512M8DA-093:P

MT41K512M8DA-093:P

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41K512M8DA-093 IT:P

MT41K512M8DA-093 IT:P

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 1067MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41K512M4DA-125:K

MT41K512M4DA-125:K

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41K512M16TNA-125 M:E

MT41K512M16TNA-125 M:E

Kirjeldus: IC DRAM 8G PARALLEL 96FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41K512M8DA-107 AIT:P TR

MT41K512M8DA-107 AIT:P TR

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi