Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Integraallülitused (IC) > Mälu > MT41K512M8DA-107 V:P
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
2405399

MT41K512M8DA-107 V:P

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1440+
$8.705
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    MT41K512M8DA-107 V:P
  • Tootja / bränd
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    IC DRAM 4G PARALLEL 933MHZ
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Kirjutage tsükli aeg - sõna, lehekülg
    -
  • Pinge - varustus
    1.283 V ~ 1.45 V
  • Tehnoloogia
    SDRAM - DDR3L
  • Seeria
    -
  • Muud nimed
    MT41K512M8DA-107 V:P-ND
    MT41K512M8DA-107V:P
  • Töötemperatuur
    0°C ~ 95°C (TC)
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Mälu tüüp
    Volatile
  • Mälu suurus
    4Gb (512M x 8)
  • Mäluliides
    Parallel
  • Mäluportaal
    DRAM
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Täpsem kirjeldus
    SDRAM - DDR3L Memory IC 4Gb (512M x 8) Parallel 933MHz 20ns
  • Kellade sagedus
    933MHz
  • Juurdepääsuaeg
    20ns
MT41K512M8RG-093:N TR

MT41K512M8RG-093:N TR

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41K512M8DA-107:P

MT41K512M8DA-107:P

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41K512M4HX-187E:D

MT41K512M4HX-187E:D

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41K512M8DA-107 AIT:P

MT41K512M8DA-107 AIT:P

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41K512M8DA-125:P

MT41K512M8DA-125:P

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 800MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41K512M8RG-107:N

MT41K512M8RG-107:N

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 933MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41K512M4HX-15E:D

MT41K512M4HX-15E:D

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41K512M8DA-107 XIT:P

MT41K512M8DA-107 XIT:P

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41K512M8DA-125:P TR

MT41K512M8DA-125:P TR

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 800MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41K512M8DA-107 V:P TR

MT41K512M8DA-107 V:P TR

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 933MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41K512M8DA-093:P

MT41K512M8DA-093:P

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41K512M8DA-107 AIT:P TR

MT41K512M8DA-107 AIT:P TR

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41K512M8DA-107 AAT:P TR

MT41K512M8DA-107 AAT:P TR

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41K512M8DA-107:P TR

MT41K512M8DA-107:P TR

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41K512M8RG-093:N

MT41K512M8RG-093:N

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 1067MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41K512M8DA-107 AAT:P

MT41K512M8DA-107 AAT:P

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41K512M8DA-093 IT:P

MT41K512M8DA-093 IT:P

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 1067MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41K512M8DA-107 IT:P

MT41K512M8DA-107 IT:P

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41K512M8DA-107 XIT:P TR

MT41K512M8DA-107 XIT:P TR

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41K512M8DA-093 IT:P TR

MT41K512M8DA-093 IT:P TR

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi