Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Integreeritud vooluringid (IC) > Mälu > MT47H128M4BT-37E:A TR
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
1393204MT47H128M4BT-37E:A TR piltMicron Technology

MT47H128M4BT-37E:A TR

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1000+
$24.64
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    MT47H128M4BT-37E:A TR
  • Tootja / bränd
    Micron Technology
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    IC DRAM 512M PARALLEL 92FBGA
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    MT47H128M4BT-37E:A TR.pdf
  • Kirjutage tsükli aeg - sõna, lehekülg
    15ns
  • Pinge - varustus
    1.7 V ~ 1.9 V
  • Tehnoloogia
    SDRAM - DDR2
  • Pakkuja seadme pakett
    92-FBGA (11x19)
  • Seeria
    -
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    92-VFBGA
  • Muud nimed
    557-1044-2
    MT47H128M4BT37EATR
  • Töötemperatuur
    0°C ~ 85°C (TC)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    5 (48 Hours)
  • Mälu tüüp
    Volatile
  • Mälu suurus
    512Mb (128M x 4)
  • Mäluliides
    Parallel
  • Mäluportaal
    DRAM
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Täpsem kirjeldus
    SDRAM - DDR2 Memory IC 512Mb (128M x 4) Parallel 267MHz 500ps 92-FBGA (11x19)
  • Kellade sagedus
    267MHz
  • Baasosa number
    MT47H128M4
  • Juurdepääsuaeg
    500ps

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

2024/11/26
Saatmine
Makse
Järgnev on "MT47H128M4BT-37E:A TR" seotud tooted.
MT47H128M4CB-5E:B TR

MT47H128M4CB-5E:B TR

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
RFQ
MT47H128M4CB-37E:B

MT47H128M4CB-37E:B

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
RFQ
MT47H128M4B6-25E:D TR

MT47H128M4B6-25E:D TR

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
RFQ
MT47H128M4CF-187E:G

MT47H128M4CF-187E:G

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
RFQ
MT47H128M16RT-25E XIT:C

MT47H128M16RT-25E XIT:C

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
RFQ
MT47H128M4CB-3:B

MT47H128M4CB-3:B

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
RFQ
MT47H128M4CB-37E:B TR

MT47H128M4CB-37E:B TR

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
RFQ
MT47H128M16RT-25E XIT:C TR

MT47H128M16RT-25E XIT:C TR

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
RFQ
MT47H128M4CF-25E:G

MT47H128M4CF-25E:G

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
RFQ
MT47H128M16RT-25E:C

MT47H128M16RT-25E:C

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
RFQ
MT47H128M4CB-3:B TR

MT47H128M4CB-3:B TR

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
RFQ
MT47H128M16RT-25E:C TR

MT47H128M16RT-25E:C TR

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
RFQ
MT47H128M4CB-5E:B

MT47H128M4CB-5E:B

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
RFQ
MT47H128M16RT-25E IT:C

MT47H128M16RT-25E IT:C

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
RFQ
MT47H128M4SH-25E:H

MT47H128M4SH-25E:H

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
RFQ
MT47H128M16RT-25E IT:C TR

MT47H128M16RT-25E IT:C TR

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
RFQ
MT47H128M4B6-25:D TR

MT47H128M4B6-25:D TR

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
RFQ
MT47H128M16RT-3:C

MT47H128M16RT-3:C

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
RFQ
MT47H128M4CF-25E:G TR

MT47H128M4CF-25E:G TR

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
RFQ
MT47H128M4B6-3:D TR

MT47H128M4B6-3:D TR

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.