Kodu > Tooted > Integreeritud vooluringid (IC) > Mälu > MT47H128M4CB-3:B TR
Küsi hinnapakkumist
Eesti Vabariik
1308219MT47H128M4CB-3:B TR piltMicron Technology

MT47H128M4CB-3:B TR

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1000+
$14.994
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    MT47H128M4CB-3:B TR
  • Tootja / bränd
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
  • ECAD -mudel
  • Kirjutage tsükli aeg - sõna, lehekülg
    15ns
  • Pinge - varustus
    1.7 V ~ 1.9 V
  • Tehnoloogia
    SDRAM - DDR2
  • Pakkuja seadme pakett
    60-FBGA
  • Seeria
    -
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    60-FBGA
  • Muud nimed
    MT47H128M4CB-3:B TR-ND
    MT47H128M4CB-3:BTR
  • Töötemperatuur
    0°C ~ 85°C (TC)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    5 (48 Hours)
  • Mälu tüüp
    Volatile
  • Mälu suurus
    512Mb (128M x 4)
  • Mäluliides
    Parallel
  • Mäluportaal
    DRAM
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Täpsem kirjeldus
    SDRAM - DDR2 Memory IC 512Mb (128M x 4) Parallel 333MHz 450ps 60-FBGA
  • Kellade sagedus
    333MHz
  • Baasosa number
    MT47H128M4
  • Juurdepääsuaeg
    450ps
MT47H128M4CF-187E:G

MT47H128M4CF-187E:G

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H128M4CB-37E:B

MT47H128M4CB-37E:B

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H128M4CF-25E:G

MT47H128M4CF-25E:G

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H128M16RT-3:C

MT47H128M16RT-3:C

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H128M4BT-37E:A TR

MT47H128M4BT-37E:A TR

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 92FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H128M4SH-25E:H TR

MT47H128M4SH-25E:H TR

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H128M4CF-25E:G TR

MT47H128M4CF-25E:G TR

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H128M4B6-3:D TR

MT47H128M4B6-3:D TR

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H128M4CB-37E:B TR

MT47H128M4CB-37E:B TR

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H128M16RT-25E:C TR

MT47H128M16RT-25E:C TR

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H128M8B7-37E:A

MT47H128M8B7-37E:A

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H128M8B7-37E L:A TR

MT47H128M8B7-37E L:A TR

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H128M4B6-25E:D TR

MT47H128M4B6-25E:D TR

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H128M8B7-37E L:A

MT47H128M8B7-37E L:A

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H128M4SH-25E:H

MT47H128M4SH-25E:H

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H128M4CB-5E:B TR

MT47H128M4CB-5E:B TR

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H128M4CB-5E:B

MT47H128M4CB-5E:B

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H128M16RT-25E:C

MT47H128M16RT-25E:C

Kirjeldus:

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H128M4B6-25:D TR

MT47H128M4B6-25:D TR

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H128M4CB-3:B

MT47H128M4CB-3:B

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos

Review (1)

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi