Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Integraallülitused (IC) > Mälu > MT47H128M4SH-25E:H TR
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
2960504

MT47H128M4SH-25E:H TR

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
2000+
$5.844
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    MT47H128M4SH-25E:H TR
  • Tootja / bränd
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
  • Kirjutage tsükli aeg - sõna, lehekülg
    15ns
  • Pinge - varustus
    1.7 V ~ 1.9 V
  • Tehnoloogia
    SDRAM - DDR2
  • Pakkuja seadme pakett
    60-FBGA (8x10)
  • Seeria
    -
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    60-TFBGA
  • Muud nimed
    MT47H128M4SH-25E:HTR
  • Töötemperatuur
    0°C ~ 85°C (TC)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Mälu tüüp
    Volatile
  • Mälu suurus
    512Mb (128M x 4)
  • Mäluliides
    Parallel
  • Mäluportaal
    DRAM
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Täpsem kirjeldus
    SDRAM - DDR2 Memory IC 512Mb (128M x 4) Parallel 400MHz 400ps 60-FBGA (8x10)
  • Kellade sagedus
    400MHz
  • Juurdepääsuaeg
    400ps
MT47H128M8B7-37E:A

MT47H128M8B7-37E:A

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H128M8B7-5E L:A

MT47H128M8B7-5E L:A

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H128M4CB-37E:B TR

MT47H128M4CB-37E:B TR

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H128M4CB-3:B

MT47H128M4CB-3:B

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H128M8B7-5E L:A TR

MT47H128M8B7-5E L:A TR

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H128M8BT-3 L:A

MT47H128M8BT-3 L:A

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H128M4CF-25E:G TR

MT47H128M4CF-25E:G TR

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H128M4CB-37E:B

MT47H128M4CB-37E:B

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H128M8B7-37E L:A

MT47H128M8B7-37E L:A

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H128M4CB-5E:B TR

MT47H128M4CB-5E:B TR

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H128M4CB-3:B TR

MT47H128M4CB-3:B TR

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H128M8B7-5E:A

MT47H128M8B7-5E:A

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H128M8B7-5E:A TR

MT47H128M8B7-5E:A TR

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H128M4SH-25E:H

MT47H128M4SH-25E:H

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H128M4CB-5E:B

MT47H128M4CB-5E:B

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H128M4CF-25E:G

MT47H128M4CF-25E:G

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H128M8B7-37E:A TR

MT47H128M8B7-37E:A TR

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H128M8BT-37E L:A

MT47H128M8BT-37E L:A

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H128M4CF-187E:G

MT47H128M4CF-187E:G

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H128M8B7-37E L:A TR

MT47H128M8B7-37E L:A TR

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi