Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Integreeritud vooluringid (IC) > Mälu > MT47H32M8BP-37V:B
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
1949427MT47H32M8BP-37V:B piltMicron Technology

MT47H32M8BP-37V:B

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1000+
$11.282
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    MT47H32M8BP-37V:B
  • Tootja / bränd
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
  • ECAD -mudel
  • Kirjutage tsükli aeg - sõna, lehekülg
    15ns
  • Pinge - varustus
    1.7 V ~ 1.9 V
  • Tehnoloogia
    SDRAM - DDR2
  • Pakkuja seadme pakett
    60-FBGA (8x12)
  • Seeria
    -
  • Pakend
    Tray
  • Pakett / kott
    60-FBGA
  • Töötemperatuur
    0°C ~ 85°C (TC)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    2 (1 Year)
  • Mälu tüüp
    Volatile
  • Mälu suurus
    256Mb (32M x 8)
  • Mäluliides
    Parallel
  • Mäluportaal
    DRAM
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Täpsem kirjeldus
    SDRAM - DDR2 Memory IC 256Mb (32M x 8) Parallel 267MHz 500ps 60-FBGA (8x12)
  • Kellade sagedus
    267MHz
  • Baasosa number
    MT47H32M8B
  • Juurdepääsuaeg
    500ps
MT47H512M4THN-25E:M

MT47H512M4THN-25E:M

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 400MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H512M4EB-187E:C

MT47H512M4EB-187E:C

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H512M4THN-25E:H

MT47H512M4THN-25E:H

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H32M16NF-25E AIT:H

MT47H32M16NF-25E AIT:H

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H512M4EB-3:C

MT47H512M4EB-3:C

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H32M8BP-5E:B TR

MT47H32M8BP-5E:B TR

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H32M8BP-3:B TR

MT47H32M8BP-3:B TR

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H32M16U67A3WC1

MT47H32M16U67A3WC1

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL WAFER

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H32M16NF-25E AAT:H

MT47H32M16NF-25E AAT:H

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H32M16NF-25E AUT:H TR

MT47H32M16NF-25E AUT:H TR

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H32M16NF-25E AUT:H

MT47H32M16NF-25E AUT:H

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 400MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H512M4EB-25E:C

MT47H512M4EB-25E:C

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H32M16NF-25E IT:H TR

MT47H32M16NF-25E IT:H TR

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H32M8BP-5E:B

MT47H32M8BP-5E:B

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H512M4THN-25E:M TR

MT47H512M4THN-25E:M TR

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H32M16NF-25E:H

MT47H32M16NF-25E:H

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H512M4EB-25E:C TR

MT47H512M4EB-25E:C TR

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H32M16NF-25E IT:H

MT47H32M16NF-25E IT:H

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H32M16NF-187E:H TR

MT47H32M16NF-187E:H TR

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H32M8BP-37E:B TR

MT47H32M8BP-37E:B TR

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi