Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Integraallülitused (IC) > Mälu > MT47H512M4EB-25E:C TR
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
4681118

MT47H512M4EB-25E:C TR

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
2000+
$20.218
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    MT47H512M4EB-25E:C TR
  • Tootja / bränd
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
  • Kirjutage tsükli aeg - sõna, lehekülg
    15ns
  • Pinge - varustus
    1.7 V ~ 1.9 V
  • Tehnoloogia
    SDRAM - DDR2
  • Pakkuja seadme pakett
    60-FBGA (9x11.5)
  • Seeria
    -
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    60-TFBGA
  • Muud nimed
    MT47H512M4EB-25E:C TR-ND
    MT47H512M4EB-25E:CTR
  • Töötemperatuur
    0°C ~ 85°C (TC)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Mälu tüüp
    Volatile
  • Mälu suurus
    2Gb (512M x 4)
  • Mäluliides
    Parallel
  • Mäluportaal
    DRAM
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Täpsem kirjeldus
    SDRAM - DDR2 Memory IC 2Gb (512M x 4) Parallel 400MHz 400ps 60-FBGA (9x11.5)
  • Kellade sagedus
    400MHz
  • Baasosa number
    MT47H512M4
  • Juurdepääsuaeg
    400ps
MT47H512M4EB-25E:C

MT47H512M4EB-25E:C

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H512M4THN-3:E TR

MT47H512M4THN-3:E TR

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H32M16NF-25E IT:H TR

MT47H32M16NF-25E IT:H TR

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H32M16NF-25E:H

MT47H32M16NF-25E:H

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H32M8BP-37V:B

MT47H32M8BP-37V:B

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H512M4EB-187E:C

MT47H512M4EB-187E:C

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H32M8BP-5E:B

MT47H32M8BP-5E:B

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H512M8WTR-25E:C TR

MT47H512M8WTR-25E:C TR

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 63FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H512M4THN-37E:E TR

MT47H512M4THN-37E:E TR

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H32M8BP-37E:B TR

MT47H32M8BP-37E:B TR

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H32M16U67A3WC1

MT47H32M16U67A3WC1

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL WAFER

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H512M4THN-3:H

MT47H512M4THN-3:H

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H32M8BP-3:B TR

MT47H32M8BP-3:B TR

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H32M8BP-5E:B TR

MT47H32M8BP-5E:B TR

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H512M8WTR-3:C

MT47H512M8WTR-3:C

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 63FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H512M8WTR-25E:C

MT47H512M8WTR-25E:C

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 63FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H512M4THN-25E:H

MT47H512M4THN-25E:H

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H512M4THN-25E:M

MT47H512M4THN-25E:M

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 400MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H512M4EB-3:C

MT47H512M4EB-3:C

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H512M4THN-25E:M TR

MT47H512M4THN-25E:M TR

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi