Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Integraallülitused (IC) > Mälu > MT53B256M32D1GZ-062 WT:B TR
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
5708523

MT53B256M32D1GZ-062 WT:B TR

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1000+
$12.474
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    MT53B256M32D1GZ-062 WT:B TR
  • Tootja / bränd
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    IC DRAM 8G 1600MHZ 200FBGA
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Kirjutage tsükli aeg - sõna, lehekülg
    -
  • Pinge - varustus
    1.1V
  • Tehnoloogia
    SDRAM - Mobile LPDDR4
  • Seeria
    -
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Muud nimed
    MT53B256M32D1GZ-062 WT:B TR-ND
    MT53B256M32D1GZ-062WT:BTR
  • Töötemperatuur
    -30°C ~ 85°C (TC)
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Mälu tüüp
    Volatile
  • Mälu suurus
    8Gb (256M x 32)
  • Mäluliides
    -
  • Mäluportaal
    DRAM
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Täpsem kirjeldus
    SDRAM - Mobile LPDDR4 Memory IC 8Gb (256M x 32) 1600MHz
  • Kellade sagedus
    1600MHz
MT53B256M32D1GZ-062 WT:B

MT53B256M32D1GZ-062 WT:B

Kirjeldus: IC DRAM 8G 1600MHZ FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53B256M32D1DS-062 AUT:C TR

MT53B256M32D1DS-062 AUT:C TR

Kirjeldus: IC DRAM 8G 1600MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53B256M32D1DS-062 XT:C TR

MT53B256M32D1DS-062 XT:C TR

Kirjeldus: IC DRAM 8G 1600MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53B256M32D1NP-062 AAT:C TR

MT53B256M32D1NP-062 AAT:C TR

Kirjeldus: IC DRAM 8G 1600MHZ 200FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53B256M32D1DS-062 AIT:C TR

MT53B256M32D1DS-062 AIT:C TR

Kirjeldus: IC DRAM 8G 1600MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53B256M32D1GZ-062 WT ES:B TR

MT53B256M32D1GZ-062 WT ES:B TR

Kirjeldus: IC DRAM 8G 1600MHZ 200FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53B256M32D1NP-053 WT:C TR

MT53B256M32D1NP-053 WT:C TR

Kirjeldus: IC DRAM 8G 1866MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53B256M32D1NP-062 AAT:C

MT53B256M32D1NP-062 AAT:C

Kirjeldus: IC DRAM 8G 1600MHZ FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53B256M32D1DS-062 AUT:C

MT53B256M32D1DS-062 AUT:C

Kirjeldus: IC DRAM 8G 1600MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53B256M32D1DS-062 XT:C

MT53B256M32D1DS-062 XT:C

Kirjeldus: IC DRAM 8G 1600MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53B256M32D1GZ-062 WT ES:B

MT53B256M32D1GZ-062 WT ES:B

Kirjeldus: LPDDR4 8G 256MX32 FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53B256M32D1NK-062 XT ES:C TR

MT53B256M32D1NK-062 XT ES:C TR

Kirjeldus: IC DRAM 8G 1600MHZ FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53B256M32D1NP-053 WT:C

MT53B256M32D1NP-053 WT:C

Kirjeldus: IC DRAM 8G 1866MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53B256M32D1NK-062 XT ES:C

MT53B256M32D1NK-062 XT ES:C

Kirjeldus: IC DRAM 8G 1600MHZ FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53B256M32D1GZ-062 AIT:B TR

MT53B256M32D1GZ-062 AIT:B TR

Kirjeldus: IC DRAM 8G 1600MHZ 200FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53B256M32D1NP-062 AIT:C TR

MT53B256M32D1NP-062 AIT:C TR

Kirjeldus: IC DRAM 8G 1600MHZ 200FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53B256M32D1NP-062 AIT:C

MT53B256M32D1NP-062 AIT:C

Kirjeldus: IC DRAM 8G 1600MHZ FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53B256M32D1NP-062 WT ES:C

MT53B256M32D1NP-062 WT ES:C

Kirjeldus: IC DRAM 8G 1600MHZ FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53B256M32D1GZ-062 AIT:B

MT53B256M32D1GZ-062 AIT:B

Kirjeldus: IC DRAM 8G 1600MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53B256M32D1NP-062 AUT:C

MT53B256M32D1NP-062 AUT:C

Kirjeldus: IC SDRAM 8GBIT 1.6GHZ 200FBGA

Tootjad: Micron Technology Inc.
Laos

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi