Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Integraallülitused (IC) > Mälu > MT53B256M32D1NP-062 WT ES:C
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
1795776

MT53B256M32D1NP-062 WT ES:C

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1360+
$18.762
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    MT53B256M32D1NP-062 WT ES:C
  • Tootja / bränd
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    IC DRAM 8G 1600MHZ FBGA
  • Lead Free status / RoHS staatus
  • Kirjutage tsükli aeg - sõna, lehekülg
    -
  • Pinge - varustus
    1.1V
  • Tehnoloogia
    SDRAM - Mobile LPDDR4
  • Seeria
    -
  • Muud nimed
    MT53B256M32D1NP-062 WT ES:C-ND
    MT53B256M32D1NP-062WTES:C
  • Töötemperatuur
    -30°C ~ 85°C (TC)
  • Mälu tüüp
    Volatile
  • Mälu suurus
    8Gb (256M x 32)
  • Mäluliides
    -
  • Mäluportaal
    DRAM
  • Juhtiv vaba staatus
    Lead free
  • Täpsem kirjeldus
    SDRAM - Mobile LPDDR4 Memory IC 8Gb (256M x 32) 1600MHz
  • Kellade sagedus
    1600MHz
MT53B256M32D1PX-062 XT:C

MT53B256M32D1PX-062 XT:C

Kirjeldus: IC DRAM 8G 1600MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53B256M32D1NP-053 WT:C TR

MT53B256M32D1NP-053 WT:C TR

Kirjeldus: IC DRAM 8G 1866MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53B256M32D1NP-062 WT:C TR

MT53B256M32D1NP-062 WT:C TR

Kirjeldus: IC DRAM 8G 1600MHZ 200FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53B256M32D1NP-062 AAT:C TR

MT53B256M32D1NP-062 AAT:C TR

Kirjeldus: IC DRAM 8G 1600MHZ 200FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53B256M32D1TG-062 XT ES:C

MT53B256M32D1TG-062 XT ES:C

Kirjeldus: IC DRAM 8G 1600MHZ FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53B256M32D1TG-062 XT:C

MT53B256M32D1TG-062 XT:C

Kirjeldus: IC DRAM 8G 1600MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53B256M32D1NP-062 AIT:C TR

MT53B256M32D1NP-062 AIT:C TR

Kirjeldus: IC DRAM 8G 1600MHZ 200FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53B256M32D1PX-062 XT ES:C TR

MT53B256M32D1PX-062 XT ES:C TR

Kirjeldus: IC DRAM 8G 1600MHZ FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53B256M32D1GZ-062 WT:B TR

MT53B256M32D1GZ-062 WT:B TR

Kirjeldus: IC DRAM 8G 1600MHZ 200FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53B256M32D1PX-062 XT ES:C

MT53B256M32D1PX-062 XT ES:C

Kirjeldus: IC DRAM 8G 1600MHZ FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53B256M32D1PX-062 XT:C TR

MT53B256M32D1PX-062 XT:C TR

Kirjeldus: IC DRAM 8G 1600MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53B256M32D1NP-062 AUT:C

MT53B256M32D1NP-062 AUT:C

Kirjeldus: IC SDRAM 8GBIT 1.6GHZ 200FBGA

Tootjad: Micron Technology Inc.
Laos
MT53B256M32D1NK-062 XT ES:C

MT53B256M32D1NK-062 XT ES:C

Kirjeldus: IC DRAM 8G 1600MHZ FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53B256M32D1NP-062 AIT:C

MT53B256M32D1NP-062 AIT:C

Kirjeldus: IC DRAM 8G 1600MHZ FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53B256M32D1NP-053 WT:C

MT53B256M32D1NP-053 WT:C

Kirjeldus: IC DRAM 8G 1866MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53B256M32D1NP-062 AAT:C

MT53B256M32D1NP-062 AAT:C

Kirjeldus: IC DRAM 8G 1600MHZ FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53B256M32D1NP-062 WT ES:C TR

MT53B256M32D1NP-062 WT ES:C TR

Kirjeldus: IC DRAM 8G 1600MHZ 200FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53B256M32D1NP-062 WT:C

MT53B256M32D1NP-062 WT:C

Kirjeldus: IC DRAM 8G 1600MHZ FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53B256M32D1NK-062 XT ES:C TR

MT53B256M32D1NK-062 XT ES:C TR

Kirjeldus: IC DRAM 8G 1600MHZ FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53B256M32D1Z01MWC1

MT53B256M32D1Z01MWC1

Kirjeldus: LPDDR4 8G DIE 256MX32

Tootjad: Micron Technology
Laos

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi