Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Integreeritud vooluringid (IC) > Mälu > N2M400FDB311A3CE
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
6782418N2M400FDB311A3CE piltMicron Technology

N2M400FDB311A3CE

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
588+
$7.127
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    N2M400FDB311A3CE
  • Tootja / bränd
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    IC FLASH 32G MMC 52MHZ 100LBGA
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • ECAD -mudel
  • Kirjutage tsükli aeg - sõna, lehekülg
    -
  • Pinge - varustus
    2.7 V ~ 3.6 V
  • Tehnoloogia
    FLASH - NAND
  • Pakkuja seadme pakett
    100-LBGA (14x18)
  • Seeria
    -
  • Pakend
    Tray
  • Pakett / kott
    100-LBGA
  • Muud nimed
    557-1618
    N2M400FDB311A3CE-ND
  • Töötemperatuur
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Mälu tüüp
    Non-Volatile
  • Mälu suurus
    32Gb (4G x 8)
  • Mäluliides
    MMC
  • Mäluportaal
    FLASH
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Täpsem kirjeldus
    FLASH - NAND Memory IC 32Gb (4G x 8) MMC 52MHz 100-LBGA (14x18)
  • Kellade sagedus
    52MHz
  • Baasosa number
    N2M400
N2M400HDB321A3CE

N2M400HDB321A3CE

Kirjeldus: IC FLASH 128G MMC 52MHZ 100LBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
N2M400JDB341A3CF

N2M400JDB341A3CF

Kirjeldus: IC FLASH 256G MMC 52MHZ 100LBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
EDBA232B2PF-1D-F-R TR

EDBA232B2PF-1D-F-R TR

Kirjeldus: IC DRAM 16G PARALLEL 168FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT46H32M16LFBF-5 AIT:C TR

MT46H32M16LFBF-5 AIT:C TR

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
DS1330BL-70

DS1330BL-70

Kirjeldus: IC NVSRAM 256K PARALLEL 34LPM

Tootjad: Maxim Integrated
Laos
CY7C09569V-83AXCT

CY7C09569V-83AXCT

Kirjeldus: IC SRAM 576K PARALLEL 144TQFP

Tootjad: Cypress Semiconductor
Laos
7008L15PF8

7008L15PF8

Kirjeldus: IC SRAM 512K PARALLEL 100TQFP

Tootjad: IDT (Integrated Device Technology)
Laos
IS43R16160D-6TL

IS43R16160D-6TL

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

Tootjad: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Laos
N2M400HDB321A3CF

N2M400HDB321A3CF

Kirjeldus: IC FLASH 128G MMC 52MHZ 100LBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
N25Q064A13EW94ME

N25Q064A13EW94ME

Kirjeldus: IC FLASH 64M SPI 108MHZ 8WPDFN

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT49H32M18CBM-18:B TR

MT49H32M18CBM-18:B TR

Kirjeldus: IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT41K512M8V00HWC1

MT41K512M8V00HWC1

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL DIE

Tootjad: Micron Technology
Laos
N2M400GDB321A3CF TR

N2M400GDB321A3CF TR

Kirjeldus: IC FLASH 64G MMC 52MHZ 100LBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
N2M400FDB311A3CF TR

N2M400FDB311A3CF TR

Kirjeldus: IC FLASH 32G MMC 52MHZ 100LBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
7132LA20J8

7132LA20J8

Kirjeldus: IC SRAM 16K PARALLEL 52PLCC

Tootjad: IDT (Integrated Device Technology)
Laos
24AA02SC-I/W16K

24AA02SC-I/W16K

Kirjeldus: IC EEPROM 2K I2C 400KHZ WAFER

Tootjad: Micrel / Microchip Technology
Laos
N2M400GDB321A3CE

N2M400GDB321A3CE

Kirjeldus: IC FLASH 64G MMC 52MHZ 100LBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
CY7C1250KV18-400BZI

CY7C1250KV18-400BZI

Kirjeldus: IC SRAM 36M PARALLEL 165FBGA

Tootjad: Cypress Semiconductor
Laos
MT29F32G08ABEABM73A3WC1P

MT29F32G08ABEABM73A3WC1P

Kirjeldus: IC FLASH 32G PARALLEL DIE

Tootjad: Micron Technology
Laos
709379L7PFG8

709379L7PFG8

Kirjeldus: IC SRAM 576K PARALLEL 100TQFP

Tootjad: IDT (Integrated Device Technology)
Laos

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi