Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Integreeritud vooluringid (IC) > Mälu > N2M400FDB311A3CF TR
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
904344

N2M400FDB311A3CF TR

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1000+
$8.629
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    N2M400FDB311A3CF TR
  • Tootja / bränd
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    IC FLASH 32G MMC 52MHZ 100LBGA
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Kirjutage tsükli aeg - sõna, lehekülg
    -
  • Pinge - varustus
    2.7 V ~ 3.6 V
  • Tehnoloogia
    FLASH - NAND
  • Pakkuja seadme pakett
    -
  • Seeria
    -
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    -
  • Muud nimed
    N2M400FDB311A3CF TR-ND
    N2M400FDB311A3CFTR
  • Töötemperatuur
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Mälu tüüp
    Non-Volatile
  • Mälu suurus
    32Gb (4G x 8)
  • Mäluliides
    MMC
  • Mäluportaal
    FLASH
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Täpsem kirjeldus
    FLASH - NAND Memory IC 32Gb (4G x 8) MMC 52MHz
  • Kellade sagedus
    52MHz
  • Baasosa number
    N2M400
DS28E81P+

DS28E81P+

Kirjeldus: RADIATION RESISTANT

Tootjad: Maxim Integrated
Laos
IDT71V424YL12PH8

IDT71V424YL12PH8

Kirjeldus: IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

Tootjad: IDT (Integrated Device Technology)
Laos
71V65603S100BQG8

71V65603S100BQG8

Kirjeldus: IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

Tootjad: IDT (Integrated Device Technology)
Laos
MT29F128G08CBCBBH6-6R:B TR

MT29F128G08CBCBBH6-6R:B TR

Kirjeldus: IC FLASH 128G PARALLEL 166MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
IDT71024S12TY

IDT71024S12TY

Kirjeldus: IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ

Tootjad: IDT (Integrated Device Technology)
Laos
N2M400JDB341A3CF

N2M400JDB341A3CF

Kirjeldus: IC FLASH 256G MMC 52MHZ 100LBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
N2M400GDB321A3CE

N2M400GDB321A3CE

Kirjeldus: IC FLASH 64G MMC 52MHZ 100LBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
N2M400FDB311A3CE

N2M400FDB311A3CE

Kirjeldus: IC FLASH 32G MMC 52MHZ 100LBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
N2M400HDB321A3CF

N2M400HDB321A3CF

Kirjeldus: IC FLASH 128G MMC 52MHZ 100LBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
N2M400GDB321A3CF TR

N2M400GDB321A3CF TR

Kirjeldus: IC FLASH 64G MMC 52MHZ 100LBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
709079S15PF8

709079S15PF8

Kirjeldus: IC SRAM 256K PARALLEL 100TQFP

Tootjad: IDT (Integrated Device Technology)
Laos
AT24CS02-STUM-T

AT24CS02-STUM-T

Kirjeldus: IC EEPROM 2K I2C 1MHZ SOT23-5

Tootjad: Micrel / Microchip Technology
Laos
W632GG6MB15I TR

W632GG6MB15I TR

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
AT49BV802A-70TU-T

AT49BV802A-70TU-T

Kirjeldus: IC FLASH 8M PARALLEL 48TSOP

Tootjad: Micrel / Microchip Technology
Laos
71T75602S133BGI8

71T75602S133BGI8

Kirjeldus: IC SRAM 18M PARALLEL 119PBGA

Tootjad: IDT (Integrated Device Technology)
Laos
MT53D768M64D8RG-053 WT ES:D TR

MT53D768M64D8RG-053 WT ES:D TR

Kirjeldus: IC DRAM 48G 1866MHZ FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
SST39VF800A-70-4I-B3KE

SST39VF800A-70-4I-B3KE

Kirjeldus: IC FLASH 8M PARALLEL 48TFBGA

Tootjad: Micrel / Microchip Technology
Laos
70V7519S166BCI

70V7519S166BCI

Kirjeldus: IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

Tootjad: IDT (Integrated Device Technology)
Laos
N2M400HDB321A3CE

N2M400HDB321A3CE

Kirjeldus: IC FLASH 128G MMC 52MHZ 100LBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MX25L2026EM1I-12G

MX25L2026EM1I-12G

Kirjeldus: IC FLASH 2MBIT

Tootjad: Macronix
Laos

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi