Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Dioodid - alaldid - üksikud > 1N5822US
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
68359391N5822US piltMicrosemi

1N5822US

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$117.42
10+
$110.077
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    1N5822US
  • Tootja / bränd
    Microsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    DIODE SCHOTTKY 40V 3A B-MELF
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Sisaldab plii / RoHS mittevastavat
  • Andmelehed
    1N5822US.pdf
  • Pinge - Edasi (Vf) (Max) @ Kui
    500mV @ 3A
  • Pinge - DC reverse (Vr) (max)
    40V
  • Pakkuja seadme pakett
    B, SQ-MELF
  • Kiirus
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Seeria
    -
  • Pakend
    Bulk
  • Pakett / kott
    SQ-MELF, B
  • Töötemperatuur - ühenduskoht
    -65°C ~ 125°C
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    10 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Diode tüüp
    Schottky
  • Täpsem kirjeldus
    Diode Schottky 40V 3A Surface Mount B, SQ-MELF
  • Praegune - tagasikäik @ Vr
    100mA @ 40V
  • Jooksev - keskmine parandatud (Io)
    3A
  • Mahtuvus @ Vr, F
    -

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

2024/11/23

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

2024/11/22

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "1N5822US" seotud tooted.
1N5822HA0G

1N5822HA0G

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO201AD

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
1N5827R

1N5827R

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY REV 30V DO5

Tootjad: GeneSiC Semiconductor
Laos
RFQ
1N5822RL

1N5822RL

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO201AD

Tootjad: STMicroelectronics
Laos
RFQ
1N5824

1N5824

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY 5A 30V TOPHAT

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
1N5822G

1N5822G

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO201AD

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
1N5827

1N5827

Kirjeldus: 5A SCHOTTKY RECTIFIER

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
1N5822-TP

1N5822-TP

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO201AD

Tootjad: Micro Commercial Components (MCC)
Laos
RFQ
1N5822HB0G

1N5822HB0G

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO201AD

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
1N5822RLG

1N5822RLG

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO201AD

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
1N5826R

1N5826R

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY REV 20V DO5

Tootjad: GeneSiC Semiconductor
Laos
RFQ
1N5827

1N5827

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY 30V 15A DO5

Tootjad: GeneSiC Semiconductor
Laos
RFQ
1N5826

1N5826

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY 20V 15A DO5

Tootjad: GeneSiC Semiconductor
Laos
RFQ
1N5822RL

1N5822RL

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO201AD

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
1N5822-T

1N5822-T

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO201AD

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
1N5828R

1N5828R

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY REV 40V DO5

Tootjad: GeneSiC Semiconductor
Laos
RFQ
1N5822/54

1N5822/54

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO201AD

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
1N5828

1N5828

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY 40V 15A DO5

Tootjad: GeneSiC Semiconductor
Laos
RFQ
1N5825

1N5825

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY 5A 40V TOPHAT

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
1N5826

1N5826

Kirjeldus: 5A SCHOTTKY RECTIFIER

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
1N5822HR0G

1N5822HR0G

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO201AD

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.