5204171

1N5825

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos

100+

$38.115

Päring veebis

Spetsifikatsioonid

Osa number

1N5825
Tootja / bränd

Microsemi
Varukogus

Laos
Kirjeldus

DIODE SCHOTTKY 5A 40V TOPHAT
Lead Free status / RoHS staatus

Plii vaba / RoHS vastavuses
Andmelehed

1N5825.pdf
Pinge - Edasi (Vf) (Max) @ Kui

380mV @ 5A
Pinge - DC reverse (Vr) (max)

40V
Pakkuja seadme pakett

TOP HAT
Kiirus

Fast Recovery = 200mA (Io)
Seeria

-
Pakend

Bulk
Pakett / kott

Axial
Muud nimed

Q8386798
Paigaldus tüüp

Through Hole
Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)

1 (Unlimited)
Tootja Standardne pliiaeg

26 Weeks
Lead Free status / RoHS staatus

Lead free / RoHS Compliant
Diode tüüp

Schottky
Täpsem kirjeldus

Diode Schottky 40V 5A Through Hole TOP HAT
Praegune - tagasikäik @ Vr

10mA @ 40V
Jooksev - keskmine parandatud (Io)

5A
Mahtuvus @ Vr, F

-
Baasosa number

1N5825

Järgnev on "1N5825" seotud tooted.

1N5828R

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY REV 40V DO5

Tootjad: GeneSiC Semiconductor

Laos

RFQ

1N5827

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY 30V 15A DO5

Tootjad: GeneSiC Semiconductor

Laos

RFQ

1N5829

Kirjeldus: 5A SCHOTTKY RECTIFIER

Tootjad: Microsemi

Laos

RFQ

1N5822HR0G

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO201AD

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)

Laos

RFQ

1N5822G

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO201AD

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Laos

RFQ

1N5822HB0G

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO201AD

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)

Laos

RFQ

1N5824

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY 5A 30V TOPHAT

Tootjad: Microsemi

Laos

RFQ

1N5822/54

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO201AD

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

RFQ

1N5826

Kirjeldus: 5A SCHOTTKY RECTIFIER

Tootjad: Microsemi

Laos

RFQ

1N5822RL

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO201AD

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Laos

RFQ

1N5826

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY 20V 15A DO5

Tootjad: GeneSiC Semiconductor

Laos

RFQ

1N5822RL

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO201AD

Tootjad: STMicroelectronics

Laos

RFQ

1N5829

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY 20V 25A DO4

Tootjad: GeneSiC Semiconductor

Laos

RFQ

1N5828

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY 40V 15A DO5

Tootjad: GeneSiC Semiconductor

Laos

RFQ

1N5822RLG

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO201AD

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Laos

RFQ

1N5827R

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY REV 30V DO5

Tootjad: GeneSiC Semiconductor

Laos

RFQ

1N5822HA0G

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO201AD

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)

Laos

RFQ

1N5827

Kirjeldus: 5A SCHOTTKY RECTIFIER

Tootjad: Microsemi

Laos

RFQ

1N5826R

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY REV 20V DO5

Tootjad: GeneSiC Semiconductor

Laos

RFQ

1N5822US

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY 40V 3A B-MELF

Tootjad: Microsemi

Laos

RFQ

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Eelregistreerimine

1N5825

Küsi hinnapakkumist

võrdlushind (USA dollarites)

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

1N5828R

1N5827

1N5829

1N5822HR0G

1N5822G

1N5822HB0G

1N5824

1N5822/54

1N5826

1N5822RL

1N5826

1N5822RL

1N5829

1N5828

1N5822RLG

1N5827R

1N5822HA0G

1N5827

1N5826R

1N5822US

Vali keel

Praegune keel