Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - IGBT - moodulid > APT100GF60JU2
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
6007052APT100GF60JU2 piltMicrosemi

APT100GF60JU2

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    APT100GF60JU2
  • Tootja / bränd
    Microsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    IGBT 600V 120A 416W SOT227
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    APT100GF60JU2.pdf
  • Pinge - koguja emitteri jaotus (max)
    600V
  • Vce (sees) (Max) @ Vge, Ic
    2.5V @ 15V, 100A
  • Pakkuja seadme pakett
    SOT-227
  • Seeria
    -
  • Võimsus - maks
    416W
  • Pakett / kott
    ISOTOP
  • Muud nimed
    APT100GF60JU2MI
    APT100GF60JU2MI-ND
  • Töötemperatuur
    -
  • NTC termistor
    Yes
  • Paigaldus tüüp
    Chassis Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Cies) @ Vce
    12.3nF @ 25V
  • Sisend
    Standard
  • IGBT tüüp
    NPT
  • Täpsem kirjeldus
    IGBT Module NPT Single 600V 120A 416W Chassis Mount SOT-227
  • Praegune - koguja piiramine (max)
    250µA
  • Praegune - koguja (Ic) (maksimaalne)
    120A
  • Konfiguratsioon
    Single

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

2024/11/23

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

2024/11/22

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "APT100GF60JU2" seotud tooted.
APT100GN60LDQ4G

APT100GN60LDQ4G

Kirjeldus: IGBT 600V 229A 625W TO264

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT100DL60BG

APT100DL60BG

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 100A TO247

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT10078SLLG

APT10078SLLG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT100DL60HJ

APT100DL60HJ

Kirjeldus: MOD DIODE 600V SOT-227

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT100GT120JU2

APT100GT120JU2

Kirjeldus: IGBT 1200V 140A 480W SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT100F50J

APT100F50J

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 103A SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT10078BLLG

APT10078BLLG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT100GF60JU3

APT100GF60JU3

Kirjeldus: IGBT 600V 120A 416W SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT10045JLL

APT10045JLL

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT100GN120B2G

APT100GN120B2G

Kirjeldus: IGBT 1200V 245A 960W TMAX

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT100GN120JDQ4

APT100GN120JDQ4

Kirjeldus: IGBT 1200V 153A 446W SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT10090BLLG

APT10090BLLG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT100GN60B2G

APT100GN60B2G

Kirjeldus: IGBT 600V 229A 625W TMAX

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT10090BFLLG

APT10090BFLLG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247

Tootjad: Microsemi Corporation
Laos
RFQ
APT10045B2LLG

APT10045B2LLG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 23A T-MAX

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT100GT120JR

APT100GT120JR

Kirjeldus: IGBT 1200V 123A 570W SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT100GT120JRDQ4

APT100GT120JRDQ4

Kirjeldus: IGBT 1200V 123A 570W SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT100GLQ65JU2

APT100GLQ65JU2

Kirjeldus: POWER MODULE - IGBT

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT1003RKLLG

APT1003RKLLG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT100GN120J

APT100GN120J

Kirjeldus: IGBT 1200V 153A 446W SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.