Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - IGBT-d - üksikud > APT100GN60B2G
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
2083172APT100GN60B2G piltMicrosemi

APT100GN60B2G

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
60+
$9.441
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    APT100GN60B2G
  • Tootja / bränd
    Microsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    IGBT 600V 229A 625W TMAX
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    1.APT100GN60B2G.pdf
    2.APT100GN60B2G.pdf
  • Pinge - koguja emitteri jaotus (max)
    600V
  • Vce (sees) (Max) @ Vge, Ic
    1.85V @ 15V, 100A
  • Testimise tingimus
    400V, 100A, 1 Ohm, 15V
  • Td (sisse / välja) @ 25 ° C
    31ns/310ns
  • Switching Energy
    4.7mJ (on), 2.675mJ (off)
  • Seeria
    -
  • Võimsus - maks
    625W
  • Pakend
    Tube
  • Pakett / kott
    TO-247-3 Variant
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    18 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendi tüüp
    Standard
  • IGBT tüüp
    Trench Field Stop
  • Väravad
    600nC
  • Täpsem kirjeldus
    IGBT Trench Field Stop 600V 229A 625W Through Hole
  • Praegune - kollektori impulss (Icm)
    300A
  • Praegune - koguja (Ic) (maksimaalne)
    229A

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "APT100GN60B2G" seotud tooted.
APT100GT120JU3

APT100GT120JU3

Kirjeldus: IGBT 1200V 140A 480W SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT100GT120JU2

APT100GT120JU2

Kirjeldus: IGBT 1200V 140A 480W SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT100GN60LDQ4G

APT100GN60LDQ4G

Kirjeldus: IGBT 600V 229A 625W TO264

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT100DL60BG

APT100DL60BG

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 100A TO247

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT100M50J

APT100M50J

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 100A SOT-227

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT100MC120JCU2

APT100MC120JCU2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1200V 143A ISOTOP

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT100GN120B2G

APT100GN120B2G

Kirjeldus: IGBT 1200V 245A 960W TMAX

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT100GF60JU3

APT100GF60JU3

Kirjeldus: IGBT 600V 120A 416W SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT100DL60HJ

APT100DL60HJ

Kirjeldus: MOD DIODE 600V SOT-227

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT100GLQ65JU2

APT100GLQ65JU2

Kirjeldus: POWER MODULE - IGBT

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT100GF60JU2

APT100GF60JU2

Kirjeldus: IGBT 600V 120A 416W SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT100GN120JDQ4

APT100GN120JDQ4

Kirjeldus: IGBT 1200V 153A 446W SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT100GT120JR

APT100GT120JR

Kirjeldus: IGBT 1200V 123A 570W SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT100GT120JRDQ4

APT100GT120JRDQ4

Kirjeldus: IGBT 1200V 123A 570W SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT100GT60B2RG

APT100GT60B2RG

Kirjeldus: IGBT 600V 148A 500W SOT247

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT100GT60JRDQ4

APT100GT60JRDQ4

Kirjeldus: IGBT 600V 148A 500W SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT10090BLLG

APT10090BLLG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT100F50J

APT100F50J

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 103A SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT100GN120J

APT100GN120J

Kirjeldus: IGBT 1200V 153A 446W SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT100GT60JR

APT100GT60JR

Kirjeldus: IGBT 600V 148A 500W SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.