Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

*Ettevõtte nimi
*Nimetus
*Tiitel

*E-posti aadress
*Telefoninumber

*Riik
*Kontaktiaken
*Sündmuse kuupäev

*Sõnum

Electronica 2024 külastajatele

Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.

Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - IGBT - moodulid > APT35GT120JU3

RFQs/tellimus (0)

Eesti Vabariik

Eesti Vabariik

493247

APT35GT120JU3 pilt

Microsemi

APT35GT120JU3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos

100+

$19.758

Päring veebis

Spetsifikatsioonid

Osa number

APT35GT120JU3
Tootja / bränd

Microsemi
Varukogus

Laos
Kirjeldus

IGBT 1200V 55A 260W SOT227
Lead Free status / RoHS staatus

Plii vaba / RoHS vastavuses
Andmelehed

1.APT35GT120JU3.pdf
2.APT35GT120JU3.pdf
Pinge - koguja emitteri jaotus (max)

1200V
Vce (sees) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 35A
Pakkuja seadme pakett

SOT-227
Seeria

-
Võimsus - maks

260W
Pakett / kott

ISOTOP
Töötemperatuur

-55°C ~ 150°C (TJ)
NTC termistor

No
Paigaldus tüüp

Chassis Mount
Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)

1 (Unlimited)
Tootja Standardne pliiaeg

32 Weeks
Lead Free status / RoHS staatus

Lead free / RoHS Compliant
Sisendvõimsus (Cies) @ Vce

2.53nF @ 25V
Sisend

Standard
IGBT tüüp

Trench Field Stop
Täpsem kirjeldus

IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 55A 260W Chassis Mount SOT-227
Praegune - koguja piiramine (max)

5mA
Praegune - koguja (Ic) (maksimaalne)

55A
Konfiguratsioon

Single

Seotud uudised
Laevandus
Makse

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

Saatmine

Makse

Järgnev on "APT35GT120JU3" seotud tooted.

APT36N90BC3G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 900V 36A TO-247

Tootjad: Microsemi

Laos

APT36GA60B

Kirjeldus: IGBT 600V 65A 290W TO-247

Tootjad: Microsemi

Laos

APT37F50B

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 37A TO-247

Tootjad: Microsemi

Laos

APT35GA90BD15

Kirjeldus: IGBT 900V 63A 290W TO247

Tootjad: Microsemi

Laos

APT35SM70S

APT35SM70S

Kirjeldus: MOSFET N-CH 700V D3PAK

Tootjad: Microsemi

Laos

APT35GN120L2DQ2G

APT35GN120L2DQ2G

Kirjeldus: IGBT 1200V 94A 379W TO264

Tootjad: Microsemi

Laos

APT35GA90B

Kirjeldus: IGBT 900V 63A 290W TO-247

Tootjad: Microsemi

Laos

APT38F50J

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 38A SOT-227

Tootjad: Microsemi

Laos

APT35GP120JDQ2

Kirjeldus: IGBT 1200V 64A 284W SOT227

Tootjad: Microsemi

Laos

APT35SM70B

APT35SM70B

Kirjeldus: MOSFET N-CH 700V TO247

Tootjad: Microsemi

Laos

APT35GN120BG

Kirjeldus: IGBT 1200V 94A 379W TO247

Tootjad: Microsemi

Laos

APT35GP120J

Kirjeldus: IGBT 1200V 64A 284W SOT227

Tootjad: Microsemi

Laos

APT35DL120HJ

Kirjeldus: DIODE MODULE 1.2KV SOT227

Tootjad: Microsemi

Laos

APT35GT120JU2

Kirjeldus: IGBT 1200V 35A 260W SOT-227

Tootjad: Microsemi

Laos

APT37M100L

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 37A TO-264

Tootjad: Microsemi

Laos

APT35GP120B2DQ2G

APT35GP120B2DQ2G

Kirjeldus: IGBT 1200V 96A 543W TMAX

Tootjad: Microsemi

Laos

APT37F50S

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 37A D3PAK

Tootjad: Microsemi

Laos

APT37M100B2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 37A T-MAX

Tootjad: Microsemi

Laos

APT35GP120BG

Kirjeldus: IGBT 1200V 96A 543W TO247

Tootjad: Microsemi

Laos

APT36GA60BD15

Kirjeldus: IGBT 600V 65A 290W TO-247

Tootjad: Microsemi

Laos

Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.

Järgne meile

Tingimused Rikkumispoliitika Taotleda pakkumist Meist Võta meiega ühendust Saidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.