Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > APT35SM70B
Küsi hinnapakkumist
Eesti Vabariik
1396048

APT35SM70B

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    APT35SM70B
  • Tootja / bränd
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 700V TO247
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
  • ECAD -mudel
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Vgs (max)
    +25V, -10V
  • Tehnoloogia
    SiCFET (Silicon Carbide)
  • Pakkuja seadme pakett
    TO-247
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    145 mOhm @ 10A, 20V
  • Voolukatkestus (max)
    176W (Tc)
  • Pakend
    Tube
  • Pakett / kott
    TO-247-3
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    1035pF @ 700V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    67nC @ 20V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    20V
  • Vooluallikas (Vdss)
    700V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 700V 35A (Tc) 176W (Tc) Through Hole TO-247
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    35A (Tc)
APT38F50J

APT38F50J

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 38A SOT-227

Tootjad: Microsemi
Laos
APT35GT120JU3

APT35GT120JU3

Kirjeldus: IGBT 1200V 55A 260W SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos
APT36N90BC3G

APT36N90BC3G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 900V 36A TO-247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT37M100L

APT37M100L

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 37A TO-264

Tootjad: Microsemi
Laos
APT37F50S

APT37F50S

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 37A D3PAK

Tootjad: Microsemi
Laos
APT35GP120B2DQ2G

APT35GP120B2DQ2G

Kirjeldus: IGBT 1200V 96A 543W TMAX

Tootjad: Microsemi
Laos
APT35GP120JDQ2

APT35GP120JDQ2

Kirjeldus: IGBT 1200V 64A 284W SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos
APT35GA90B

APT35GA90B

Kirjeldus: IGBT 900V 63A 290W TO-247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT37M100B2

APT37M100B2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 37A T-MAX

Tootjad: Microsemi
Laos
APT35GN120L2DQ2G

APT35GN120L2DQ2G

Kirjeldus: IGBT 1200V 94A 379W TO264

Tootjad: Microsemi
Laos
APT36GA60B

APT36GA60B

Kirjeldus: IGBT 600V 65A 290W TO-247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT37F50B

APT37F50B

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 37A TO-247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT38F80B2

APT38F80B2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 41A T-MAX

Tootjad: Microsemi
Laos
APT35GN120BG

APT35GN120BG

Kirjeldus: IGBT 1200V 94A 379W TO247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT35GA90BD15

APT35GA90BD15

Kirjeldus: IGBT 900V 63A 290W TO247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT35SM70S

APT35SM70S

Kirjeldus: MOSFET N-CH 700V D3PAK

Tootjad: Microsemi
Laos
APT35GP120J

APT35GP120J

Kirjeldus: IGBT 1200V 64A 284W SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos
APT35GP120BG

APT35GP120BG

Kirjeldus: IGBT 1200V 96A 543W TO247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT35GT120JU2

APT35GT120JU2

Kirjeldus: IGBT 1200V 35A 260W SOT-227

Tootjad: Microsemi
Laos
APT36GA60BD15

APT36GA60BD15

Kirjeldus: IGBT 600V 65A 290W TO-247

Tootjad: Microsemi
Laos

Review (1)

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi