Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - IGBT - moodulid > APT46GA90JD40
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
1730489APT46GA90JD40 piltMicrosemi

APT46GA90JD40

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$31.23
10+
$28.888
30+
$26.546
100+
$24.672
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    APT46GA90JD40
  • Tootja / bränd
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    IGBT 900V 87A 284W SOT-227
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
  • Pinge - koguja emitteri jaotus (max)
    900V
  • Vce (sees) (Max) @ Vge, Ic
    3.1V @ 15V, 47A
  • Pakkuja seadme pakett
    ISOTOP®
  • Seeria
    POWER MOS 8™
  • Võimsus - maks
    284W
  • Pakett / kott
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • NTC termistor
    No
  • Paigaldus tüüp
    Chassis Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    29 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Cies) @ Vce
    4.17nF @ 25V
  • Sisend
    Standard
  • IGBT tüüp
    PT
  • Täpsem kirjeldus
    IGBT Module PT Single 900V 87A 284W Chassis Mount ISOTOP®
  • Praegune - koguja piiramine (max)
    350µA
  • Praegune - koguja (Ic) (maksimaalne)
    87A
  • Konfiguratsioon
    Single
APT48M80L

APT48M80L

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 48A TO-264

Tootjad: Microsemi
Laos
APT47GA60JD40

APT47GA60JD40

Kirjeldus: IGBT 600V 87A 283W SOT-227

Tootjad: Microsemi Corporation
Laos
APT4F120K

APT4F120K

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1200V 4A TO-220

Tootjad: Microsemi
Laos
APT47N65SCS3G

APT47N65SCS3G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 47A TO-247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT45GR65B2DU30

APT45GR65B2DU30

Kirjeldus: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Tootjad: Microsemi
Laos
APT45M100J

APT45M100J

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 45A SOT-227

Tootjad: Microsemi
Laos
APT47F60J

APT47F60J

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227

Tootjad: Microsemi
Laos
APT45GR65BSCD10

APT45GR65BSCD10

Kirjeldus: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Tootjad: Microsemi
Laos
APT45GP120JDQ2

APT45GP120JDQ2

Kirjeldus: IGBT 1200V 75A 329W SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos
APT47M60J

APT47M60J

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227

Tootjad: Microsemi
Laos
APT47N60SC3G

APT47N60SC3G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 47A D3PAK

Tootjad: Microsemi
Laos
APT45GR65B

APT45GR65B

Kirjeldus: IGBT 650V 92A 357W TO-247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT45GP120B2DQ2G

APT45GP120B2DQ2G

Kirjeldus: IGBT 1200V 113A 625W TMAX

Tootjad: Microsemi
Laos
APT44GA60BD30C

APT44GA60BD30C

Kirjeldus: IGBT 600V 78A 337W TO247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT47N60BC3G

APT47N60BC3G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 47A TO-247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT48M80B2

APT48M80B2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 48A T-MAX

Tootjad: Microsemi
Laos
APT47N65BC3G

APT47N65BC3G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 47A TO-247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT45GP120J

APT45GP120J

Kirjeldus: IGBT 1200V 75A 329W SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos
APT45GP120BG

APT45GP120BG

Kirjeldus: IGBT 1200V 100A 625W TO247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT45GR65SSCD10

APT45GR65SSCD10

Kirjeldus: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Tootjad: Microsemi
Laos

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi