Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > APT47N60BC3G
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
4827837APT47N60BC3G piltMicrosemi

APT47N60BC3G

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$16.49
30+
$13.867
120+
$12.742
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    APT47N60BC3G
  • Tootja / bränd
    Microsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 600V 47A TO-247
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    1.APT47N60BC3G.pdf
    2.APT47N60BC3G.pdf
  • ECAD -mudel
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3.9V @ 2.7mA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    TO-247 [B]
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    70 mOhm @ 30A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    417W (Tc)
  • Pakend
    Tube
  • Pakett / kott
    TO-247-3
  • Muud nimed
    APT47N60BC3GMI
    APT47N60BC3GMI-ND
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    18 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    7015pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    260nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    600V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 600V 47A (Tc) 417W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    47A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27
Saatmine
Makse
Järgnev on "APT47N60BC3G" seotud tooted.
APT47GA60JD40

APT47GA60JD40

Kirjeldus: IGBT 600V 87A 283W SOT-227

Tootjad: Microsemi Corporation
Laos
RFQ
APT47N65SCS3G

APT47N65SCS3G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 47A TO-247

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT47F60J

APT47F60J

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT48M80B2

APT48M80B2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 48A T-MAX

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT47N65BC3G

APT47N65BC3G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 47A TO-247

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT47N60SC3G

APT47N60SC3G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 47A D3PAK

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT47M60J

APT47M60J

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT45GR65B2DU30

APT45GR65B2DU30

Kirjeldus: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT45GP120JDQ2

APT45GP120JDQ2

Kirjeldus: IGBT 1200V 75A 329W SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT45GR65BSCD10

APT45GR65BSCD10

Kirjeldus: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT5010JLLU2

APT5010JLLU2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 41A SOT-227

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT5010B2FLLG

APT5010B2FLLG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT46GA90JD40

APT46GA90JD40

Kirjeldus: IGBT 900V 87A 284W SOT-227

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT48M80L

APT48M80L

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 48A TO-264

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT45M100J

APT45M100J

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 45A SOT-227

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT5010B2LLG

APT5010B2LLG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT4M120K

APT4M120K

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1200V 5A TO220

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT4F120K

APT4F120K

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1200V 4A TO-220

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT45GR65SSCD10

APT45GR65SSCD10

Kirjeldus: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT45GR65B

APT45GR65B

Kirjeldus: IGBT 650V 92A 357W TO-247

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustUudisedSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.