Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - IGBT - moodulid > APT65GP60J
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
6121028APT65GP60J piltMicrosemi

APT65GP60J

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$36.88
10+
$34.117
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    APT65GP60J
  • Tootja / bränd
    Microsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    IGBT 600V 130A 431W SOT227
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    APT65GP60J.pdf
  • ECAD -mudel
  • Pinge - koguja emitteri jaotus (max)
    600V
  • Vce (sees) (Max) @ Vge, Ic
    2.7V @ 15V, 65A
  • Pakkuja seadme pakett
    ISOTOP®
  • Seeria
    POWER MOS 7®
  • Võimsus - maks
    431W
  • Pakett / kott
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • NTC termistor
    No
  • Paigaldus tüüp
    Chassis Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Cies) @ Vce
    7.4nF @ 25V
  • Sisend
    Standard
  • IGBT tüüp
    PT
  • Täpsem kirjeldus
    IGBT Module PT Single 600V 130A 431W Chassis Mount ISOTOP®
  • Praegune - koguja piiramine (max)
    1mA
  • Praegune - koguja (Ic) (maksimaalne)
    130A
  • Konfiguratsioon
    Single

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27
Saatmine
Makse
Järgnev on "APT65GP60J" seotud tooted.
APT65GP60L2DQ2G

APT65GP60L2DQ2G

Kirjeldus: IGBT 600V 198A 833W TO264

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT60N60SCSG

APT60N60SCSG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 60A D3PAK

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT66M60B2

APT66M60B2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 66A T-MAX

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT6M100K

APT6M100K

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 6A TO-220

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT60S20BG

APT60S20BG

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY 200V 75A TO247

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT64GA90LD30

APT64GA90LD30

Kirjeldus: IGBT 900V 117A 500W TO-264

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT60S20SG/TR

APT60S20SG/TR

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY 200V 75A D3PAK

Tootjad: Microsemi Corporation
Laos
RFQ
APT66F60L

APT66F60L

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 70A TO-264

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT64GA90B2D30

APT64GA90B2D30

Kirjeldus: IGBT 900V 117A 500W TO-247

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT60N60SCSG/TR

APT60N60SCSG/TR

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 60A D3PAK

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT66M60L

APT66M60L

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 70A TO-264

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT65GP60B2G

APT65GP60B2G

Kirjeldus: IGBT 600V 100A 833W TMAX

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT68GA60B

APT68GA60B

Kirjeldus: IGBT 600V 121A 520W TO-247

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT60S20SG

APT60S20SG

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY 200V 75A D3

Tootjad: Microsemi Corporation
Laos
RFQ
APT68GA60LD40

APT68GA60LD40

Kirjeldus: IGBT 600V 121A 520W TO-264

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT68GA60B2D40

APT68GA60B2D40

Kirjeldus: IGBT 600V 121A 520W TO-247

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT64GA90B

APT64GA90B

Kirjeldus: IGBT 900V 117A 500W TO247

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT70GR120B2

APT70GR120B2

Kirjeldus: IGBT 1200V 160A 961W TO247

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT60S20B2CTG

APT60S20B2CTG

Kirjeldus: DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TMAX

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT66F60B2

APT66F60B2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 70A TO-247

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustUudisedSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.