Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - IGBT-d - üksikud > APT68GA60B
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
5954962APT68GA60B piltMicrosemi

APT68GA60B

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$10.25
10+
$9.229
30+
$8.409
120+
$7.589
270+
$6.973
510+
$6.358
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    APT68GA60B
  • Tootja / bränd
    Microsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    IGBT 600V 121A 520W TO-247
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    APT68GA60B.pdf
  • Pinge - koguja emitteri jaotus (max)
    600V
  • Vce (sees) (Max) @ Vge, Ic
    2.5V @ 15V, 40A
  • Testimise tingimus
    400V, 40A, 4.7 Ohm, 15V
  • Td (sisse / välja) @ 25 ° C
    21ns/133ns
  • Switching Energy
    715µJ (on), 607µJ (off)
  • Pakkuja seadme pakett
    TO-247 [B]
  • Seeria
    POWER MOS 8™
  • Võimsus - maks
    520W
  • Pakend
    Tube
  • Pakett / kott
    TO-247-3
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    29 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendi tüüp
    Standard
  • IGBT tüüp
    PT
  • Väravad
    298nC
  • Täpsem kirjeldus
    IGBT PT 600V 121A 520W Through Hole TO-247 [B]
  • Praegune - kollektori impulss (Icm)
    202A
  • Praegune - koguja (Ic) (maksimaalne)
    121A

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

2024/11/23

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

2024/11/22

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "APT68GA60B" seotud tooted.
APT64GA90LD30

APT64GA90LD30

Kirjeldus: IGBT 900V 117A 500W TO-264

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT70GR120JD60

APT70GR120JD60

Kirjeldus: IGBT 1200V 112A 543W SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT65GP60L2DQ2G

APT65GP60L2DQ2G

Kirjeldus: IGBT 600V 198A 833W TO264

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT65GP60B2G

APT65GP60B2G

Kirjeldus: IGBT 600V 100A 833W TMAX

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT70GR65B2SCD30

APT70GR65B2SCD30

Kirjeldus: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT68GA60B2D40

APT68GA60B2D40

Kirjeldus: IGBT 600V 121A 520W TO-247

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT65GP60J

APT65GP60J

Kirjeldus: IGBT 600V 130A 431W SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT6M100K

APT6M100K

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 6A TO-220

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT70GR120B2

APT70GR120B2

Kirjeldus: IGBT 1200V 160A 961W TO247

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT64GA90B2D30

APT64GA90B2D30

Kirjeldus: IGBT 900V 117A 500W TO-247

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT66M60B2

APT66M60B2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 66A T-MAX

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT66M60L

APT66M60L

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 70A TO-264

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT66F60L

APT66F60L

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 70A TO-264

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT70GR120J

APT70GR120J

Kirjeldus: IGBT 1200V 112A 543W SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT70GR65B2DU40

APT70GR65B2DU40

Kirjeldus: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT70GR65B

APT70GR65B

Kirjeldus: IGBT 650V 134A 595W TO-247

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT70GR120L

APT70GR120L

Kirjeldus: IGBT 1200V 160A 961W TO264

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT68GA60LD40

APT68GA60LD40

Kirjeldus: IGBT 600V 121A 520W TO-264

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT64GA90B

APT64GA90B

Kirjeldus: IGBT 900V 117A 500W TO247

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT66F60B2

APT66F60B2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 70A TO-247

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.