Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - IGBT - moodulid > APT70GR120JD60
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
5306063APT70GR120JD60 piltMicrosemi

APT70GR120JD60

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$38.94
10+
$36.021
30+
$33.10
100+
$30.764
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    APT70GR120JD60
  • Tootja / bränd
    Microsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    IGBT 1200V 112A 543W SOT227
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    APT70GR120JD60.pdf
  • Pinge - koguja emitteri jaotus (max)
    1200V
  • Vce (sees) (Max) @ Vge, Ic
    3.2V @ 15V, 70A
  • Pakkuja seadme pakett
    SOT-227
  • Seeria
    -
  • Võimsus - maks
    543W
  • Pakett / kott
    SOT-227-4
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • NTC termistor
    No
  • Paigaldus tüüp
    Chassis Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    26 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Cies) @ Vce
    7.26nF @ 25V
  • Sisend
    Standard
  • IGBT tüüp
    NPT
  • Täpsem kirjeldus
    IGBT Module NPT Single 1200V 112A 543W Chassis Mount SOT-227
  • Praegune - koguja piiramine (max)
    1.1mA
  • Praegune - koguja (Ic) (maksimaalne)
    112A
  • Konfiguratsioon
    Single

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

2024/11/26
Saatmine
Makse
Järgnev on "APT70GR120JD60" seotud tooted.
APT70SM70S

APT70SM70S

Kirjeldus: POWER MOSFET - SIC

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT66F60L

APT66F60L

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 70A TO-264

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT75DL60HJ

APT75DL60HJ

Kirjeldus: MOD DIODE 600V SOT-227

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT68GA60LD40

APT68GA60LD40

Kirjeldus: IGBT 600V 121A 520W TO-264

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT70GR65B2SCD30

APT70GR65B2SCD30

Kirjeldus: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT70GR120B2

APT70GR120B2

Kirjeldus: IGBT 1200V 160A 961W TO247

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT75DL120HJ

APT75DL120HJ

Kirjeldus: MOD DIODE 1200V SOT-227

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT70GR120L

APT70GR120L

Kirjeldus: IGBT 1200V 160A 961W TO264

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT70SM70B

APT70SM70B

Kirjeldus: POWER MOSFET - SIC

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT66F60B2

APT66F60B2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 70A TO-247

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT68GA60B2D40

APT68GA60B2D40

Kirjeldus: IGBT 600V 121A 520W TO-247

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT75DF170HJ

APT75DF170HJ

Kirjeldus: MOD DIODE 1700V SOT-227

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT68GA60B

APT68GA60B

Kirjeldus: IGBT 600V 121A 520W TO-247

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT70GR120J

APT70GR120J

Kirjeldus: IGBT 1200V 112A 543W SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT70SM70J

APT70SM70J

Kirjeldus: POWER MOSFET - SIC

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT70GR65B

APT70GR65B

Kirjeldus: IGBT 650V 134A 595W TO-247

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT70GR65B2DU40

APT70GR65B2DU40

Kirjeldus: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT6M100K

APT6M100K

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 6A TO-220

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT66M60B2

APT66M60B2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 66A T-MAX

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT66M60L

APT66M60L

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 70A TO-264

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.