Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - IGBT-d - üksikud > APT75GN60LDQ3G
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
4853992APT75GN60LDQ3G piltMicrosemi

APT75GN60LDQ3G

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$12.56
10+
$11.302
25+
$10.297
100+
$9.293
250+
$8.539
500+
$7.786
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    APT75GN60LDQ3G
  • Tootja / bränd
    Microsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    IGBT 600V 155A 536W TO264
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    1.APT75GN60LDQ3G.pdf
    2.APT75GN60LDQ3G.pdf
  • Pinge - koguja emitteri jaotus (max)
    600V
  • Vce (sees) (Max) @ Vge, Ic
    1.85V @ 15V, 75A
  • Testimise tingimus
    400V, 75A, 1 Ohm, 15V
  • Td (sisse / välja) @ 25 ° C
    47ns/385ns
  • Switching Energy
    2500µJ (on), 2140µJ (off)
  • Pakkuja seadme pakett
    TO-264 [L]
  • Seeria
    -
  • Võimsus - maks
    536W
  • Pakend
    Tube
  • Pakett / kott
    TO-264-3, TO-264AA
  • Muud nimed
    APT75GN60LDQ3GMI
    APT75GN60LDQ3GMI-ND
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    32 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendi tüüp
    Standard
  • IGBT tüüp
    Trench Field Stop
  • Väravad
    485nC
  • Täpsem kirjeldus
    IGBT Trench Field Stop 600V 155A 536W Through Hole TO-264 [L]
  • Praegune - kollektori impulss (Icm)
    225A
  • Praegune - koguja (Ic) (maksimaalne)
    155A

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

2024/11/26
Saatmine
Makse
Järgnev on "APT75GN60LDQ3G" seotud tooted.
APT75GP120J

APT75GP120J

Kirjeldus: IGBT 1200V 128A 543W SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT75GT120JRDQ3

APT75GT120JRDQ3

Kirjeldus: IGBT 1200V 97A 480W SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT75DQ60BG

APT75DQ60BG

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 75A TO247

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT75GP120B2G

APT75GP120B2G

Kirjeldus: IGBT 1200V 100A 1042W TMAX

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT77N60JC3

APT77N60JC3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 77A SOT-227

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT75GN120LG

APT75GN120LG

Kirjeldus: IGBT 1200V 200A 833W TO264

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT75GN60B2DQ3G

APT75GN60B2DQ3G

Kirjeldus: IGBT 600V 155A 536W TO264

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT77N60BC6

APT77N60BC6

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 77A TO-247

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT75GT120JU2

APT75GT120JU2

Kirjeldus: IGBT 1200V 100A 416W SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT75GN120B2G

APT75GN120B2G

Kirjeldus: IGBT 1200V 200A 833W TMAX

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT75M50B2

APT75M50B2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 75A T-MAX

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT75GT120JU3

APT75GT120JU3

Kirjeldus: POWER MOD IGBT 1200V 100A SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT75GP120JDQ3

APT75GP120JDQ3

Kirjeldus: IGBT 1200V 128A 543W SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT75GN120JDQ3

APT75GN120JDQ3

Kirjeldus: IGBT 1200V 124A 379W SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT75GN120J

APT75GN120J

Kirjeldus: IGBT 1200V 124A 379W SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT75GN60BG

APT75GN60BG

Kirjeldus: IGBT 600V 155A 536W TO247

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT75M50L

APT75M50L

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 75A TO-264

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT75F50B2

APT75F50B2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 75A TO-247

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT75GN120JDQ3G

APT75GN120JDQ3G

Kirjeldus: IGBT 1200V 124A 379W SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT75F50L

APT75F50L

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 75A TO-264

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.