Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - IGBT - moodulid > APT75GT120JU3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
3264512APT75GT120JU3 piltMicrosemi

APT75GT120JU3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
100+
$25.093
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    APT75GT120JU3
  • Tootja / bränd
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    POWER MOD IGBT 1200V 100A SOT227
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
  • Pinge - koguja emitteri jaotus (max)
    1200V
  • Vce (sees) (Max) @ Vge, Ic
    2.1V @ 15V, 75A
  • Pakkuja seadme pakett
    SOT-227
  • Seeria
    -
  • Võimsus - maks
    416W
  • Pakett / kott
    ISOTOP
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • NTC termistor
    No
  • Paigaldus tüüp
    Chassis Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    32 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Cies) @ Vce
    5.34nF @ 25V
  • Sisend
    Standard
  • IGBT tüüp
    Trench Field Stop
  • Täpsem kirjeldus
    IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 100A 416W Chassis Mount SOT-227
  • Praegune - koguja piiramine (max)
    5mA
  • Praegune - koguja (Ic) (maksimaalne)
    100A
  • Konfiguratsioon
    Single
APT75GP120JDQ3

APT75GP120JDQ3

Kirjeldus: IGBT 1200V 128A 543W SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos
APT75M50L

APT75M50L

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 75A TO-264

Tootjad: Microsemi
Laos
APT77N60SC6

APT77N60SC6

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 77A D3PAK

Tootjad: Microsemi
Laos
APT75GP120J

APT75GP120J

Kirjeldus: IGBT 1200V 128A 543W SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos
APT75GN60LDQ3G

APT75GN60LDQ3G

Kirjeldus: IGBT 600V 155A 536W TO264

Tootjad: Microsemi
Laos
APT7F120B

APT7F120B

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1200V 7A TO-247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT75GN60BG

APT75GN60BG

Kirjeldus: IGBT 600V 155A 536W TO247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT77N60JC3

APT77N60JC3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 77A SOT-227

Tootjad: Microsemi
Laos
APT7M120S

APT7M120S

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1200V 8A D3PAK

Tootjad: Microsemi
Laos
APT75M50B2

APT75M50B2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 75A T-MAX

Tootjad: Microsemi
Laos
APT75GT120JU2

APT75GT120JU2

Kirjeldus: IGBT 1200V 100A 416W SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos
APT7M120B

APT7M120B

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1200V 8A TO247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT77N60BC6

APT77N60BC6

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 77A TO-247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT7F100B

APT7F100B

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 7A TO-247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT75GN120JDQ3G

APT75GN120JDQ3G

Kirjeldus: IGBT 1200V 124A 379W SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos
APT75GN120LG

APT75GN120LG

Kirjeldus: IGBT 1200V 200A 833W TO264

Tootjad: Microsemi
Laos
APT75GP120B2G

APT75GP120B2G

Kirjeldus: IGBT 1200V 100A 1042W TMAX

Tootjad: Microsemi
Laos
APT75GT120JRDQ3

APT75GT120JRDQ3

Kirjeldus: IGBT 1200V 97A 480W SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos
APT75GN60B2DQ3G

APT75GN60B2DQ3G

Kirjeldus: IGBT 600V 155A 536W TO264

Tootjad: Microsemi
Laos
APT7F80K

APT7F80K

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 7A TO-220

Tootjad: Microsemi
Laos

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi