Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - IGBT-d - üksikud > APT85GR120B2
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
5259205APT85GR120B2 piltMicrosemi

APT85GR120B2

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$17.32
10+
$15.744
30+
$14.563
120+
$13.382
270+
$12.201
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    APT85GR120B2
  • Tootja / bränd
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    IGBT 1200V 170A 962W TO247
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
  • Pinge - koguja emitteri jaotus (max)
    1200V
  • Vce (sees) (Max) @ Vge, Ic
    3.2V @ 15V, 85A
  • Testimise tingimus
    600V, 85A, 4.3 Ohm, 15V
  • Td (sisse / välja) @ 25 ° C
    43ns/300ns
  • Switching Energy
    6mJ (on), 3.8mJ (off)
  • Pakkuja seadme pakett
    T-MAX™
  • Seeria
    -
  • Võimsus - maks
    962W
  • Pakend
    Tube
  • Pakett / kott
    TO-247-3
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    17 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendi tüüp
    Standard
  • IGBT tüüp
    NPT
  • Väravad
    660nC
  • Täpsem kirjeldus
    IGBT NPT 1200V 170A 962W Through Hole T-MAX™
  • Praegune - kollektori impulss (Icm)
    340A
  • Praegune - koguja (Ic) (maksimaalne)
    170A
APT80SM120S

APT80SM120S

Kirjeldus: POWER MOSFET - SIC

Tootjad: Microsemi
Laos
APT85GR120L

APT85GR120L

Kirjeldus: IGBT 1200V 170A 962W TO264

Tootjad: Microsemi
Laos
APT85GR120J

APT85GR120J

Kirjeldus: IGBT MODULE 1200V 116A ISOTOP

Tootjad: Microsemi
Laos
APT85GR120JD60

APT85GR120JD60

Kirjeldus: IGBT MODULE 1200V 116A ISOTOP

Tootjad: Microsemi
Laos
APT80SM120J

APT80SM120J

Kirjeldus: POWER MOSFET - SIC

Tootjad: Microsemi
Laos
APT80GP60J

APT80GP60J

Kirjeldus: IGBT 600V 151A 462W SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos
APT8DQ60KCTG

APT8DQ60KCTG

Kirjeldus: DIODE ARRAY GP 600V 8A TO220

Tootjad: Microsemi
Laos
APT94N65B2C6

APT94N65B2C6

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 95A T-MAX

Tootjad: Microsemi
Laos
APT84M50L

APT84M50L

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 84A TO-264

Tootjad: Microsemi
Laos
APT84F50L

APT84F50L

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 84A TO-264

Tootjad: Microsemi
Laos
APT94N65B2C3G

APT94N65B2C3G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 94A TO-247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT80SM120B

APT80SM120B

Kirjeldus: POWER MOSFET - SIC

Tootjad: Microsemi
Laos
APT8M80K

APT8M80K

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 8A TO-220

Tootjad: Microsemi
Laos
APT94N60L2C3G

APT94N60L2C3G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 94A TO264

Tootjad: Microsemi
Laos
APT90DR160HJ

APT90DR160HJ

Kirjeldus: DIODE MODULE 1.6V SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos
APT84M50B2

APT84M50B2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 84A T-MAX

Tootjad: Microsemi
Laos
APT80GA90LD40

APT80GA90LD40

Kirjeldus: IGBT 900V 145A 625W TO-264

Tootjad: Microsemi
Laos
APT80M60J

APT80M60J

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 84A SOT-227

Tootjad: Microsemi
Laos
APT8M100B

APT8M100B

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 8A TO-247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT84F50B2

APT84F50B2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 84A TO-247

Tootjad: Microsemi
Laos

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi