Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - IGBT - moodulid > APT85GR120JD60
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
5567504APT85GR120JD60 piltMicrosemi

APT85GR120JD60

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$41.15
10+
$38.062
30+
$34.976
100+
$32.507
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    APT85GR120JD60
  • Tootja / bränd
    Microsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    IGBT MODULE 1200V 116A ISOTOP
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    APT85GR120JD60.pdf
  • Pinge - koguja emitteri jaotus (max)
    1200V
  • Vce (sees) (Max) @ Vge, Ic
    3.2V @ 15V, 85A
  • Pakkuja seadme pakett
    SOT-227
  • Seeria
    -
  • Võimsus - maks
    543W
  • Pakett / kott
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • NTC termistor
    No
  • Paigaldus tüüp
    Chassis Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    26 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Cies) @ Vce
    8.4nF @ 25V
  • Sisend
    Standard
  • IGBT tüüp
    NPT
  • Täpsem kirjeldus
    IGBT Module NPT Single 1200V 116A 543W Chassis Mount SOT-227
  • Praegune - koguja piiramine (max)
    1.1mA
  • Praegune - koguja (Ic) (maksimaalne)
    116A
  • Konfiguratsioon
    Single

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "APT85GR120JD60" seotud tooted.
APT85GR120B2

APT85GR120B2

Kirjeldus: IGBT 1200V 170A 962W TO247

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT80SM120J

APT80SM120J

Kirjeldus: POWER MOSFET - SIC

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT85GR120L

APT85GR120L

Kirjeldus: IGBT 1200V 170A 962W TO264

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT94N60L2C3G

APT94N60L2C3G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 94A TO264

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT84M50L

APT84M50L

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 84A TO-264

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT95GR65JDU60

APT95GR65JDU60

Kirjeldus: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT84M50B2

APT84M50B2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 84A T-MAX

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT84F50B2

APT84F50B2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 84A TO-247

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT95GR65B2

APT95GR65B2

Kirjeldus: IGBT 650V 208A 892W T-MAX

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT84F50L

APT84F50L

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 84A TO-264

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT8DQ60KCTG

APT8DQ60KCTG

Kirjeldus: DIODE ARRAY GP 600V 8A TO220

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT85GR120J

APT85GR120J

Kirjeldus: IGBT MODULE 1200V 116A ISOTOP

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT8M100B

APT8M100B

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 8A TO-247

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT80SM120B

APT80SM120B

Kirjeldus: POWER MOSFET - SIC

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT94N65B2C6

APT94N65B2C6

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 95A T-MAX

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT80SM120S

APT80SM120S

Kirjeldus: POWER MOSFET - SIC

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT80M60J

APT80M60J

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 84A SOT-227

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT94N65B2C3G

APT94N65B2C3G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 94A TO-247

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT8M80K

APT8M80K

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 8A TO-220

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
APT90DR160HJ

APT90DR160HJ

Kirjeldus: DIODE MODULE 1.6V SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.